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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer MT41K256M8DA-125: K
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM - DDR3L Speicherkapazität 2Gbit
Speicherorganisation 256M x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 13,75 ns Spannung - Versorgung 1.283V | 1.45V
Betriebstemperatur 0°C | 95°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 78-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 78-FBGA (8x10.5)
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Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

[MCL]

BROADBAND CW TWT LAB Verstärker

Für RADAR-, EMC- und EW-Tests

Der Breitbandverstärker MT4100 basiert auf der bewährten MT4000 TWT-Architektur.

Modulär gestaltet, kompakt und effizient verpackt, wird der MT4100 eine unübertroffene Zuverlässigkeit aufweisen.

Eigenschaften:

Umfangreiche Diagnosekapazitäten
Erweiterte thermische Konstruktion
Kompakte Größe
Kühlung durch Kanäle
Ruhiger Einsatz

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Packungskoffer 78-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.283 V ~ 1.45 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung der Maschine
Speicherkapazität 2G (256M x 8)
Speichertypen DDR3L SDRAM
Geschwindigkeit 800 MHz
Format-Speicher Speicherplatz
Mfr Micron Technologie Inc.
Paket Tray
Produktstatus Aktiv
Speichertypen Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 2 GB (256 M x 8)
Speicheroberfläche Parallel
Uhrfrequenz 800 MHz
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite -
Zugriffszeit 13,75 ns
Spannungsversorgung 1,283 V bis 1,45 V
Montageart Oberflächenbefestigung
Packungskoffer 78-TFBGA
Nummer des Basisprodukts USE Gefahrenabweichung

Funktionell kompatible Komponente

Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente

Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
H5TQ2G83CFR-H9C
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN-frei und ROHS-konform, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TQ2G83CFR-H9C
USE Gefahrenabweichung
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, LEAD-frei, FBGA-78 Micron Technologie Inc. Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die für die Zwecke der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 geltenden Maßnahmen zu überprüfen.
H5TQ2G83FFR-PBC
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN-frei und ROHS-konform, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN-frei und ROHS-konform, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TC2G83CFR-PBA
USE Gewebe für die Beförderung von Personen
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, LEAD-frei, FBGA-78 Micron Technologie Inc. Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die für die Zwecke der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 vorgesehenen Maßnahmen zu ergreifen.
USE Gefahrenabweichung
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM HÖHEIT, ohne Blei, FBGA-78 Micron Technologie Inc. Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die für die Berechnung der Zinssätze erforderlichen Maßnahmen zu ergreifen.
H5TQ2G83DFR-RDC
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN-frei und ROHS-konform, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN-frei und ROHS-konform, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
Gedächtnis		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN-frei und ROHS-konform, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K gegen H5TQ2G83DFR-PBC

Beschreibungen

SDRAM - DDR3L Speicher IC 2 GB (256 M x 8) Parallel 800 MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10,5)
DRAM-Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1,35V 78-Pin FBGA
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC