MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 64Mbit
Speicherorganisation 2M x 32 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 167 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 12ns
Zugriffzeit 5,5 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 86-TFSOP (0,400", 10.16mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 86-TSOP II
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Part Number Description
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Generell beschrieben

Der 64 MB SDRAM ist ein hohes CMOS-Speed-Speicher mit dynamischem Zufallszugriff, der 67108Es ist intern als Quad-Bank DRAM mit einer synchronen Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden am positiven Rand des Uhrsignals, CLK, registriert).777Die 216-Bit-Banken sind in 2.048 Zeilen mit 256 Spalten mit 32 Bit organisiert.
Lesen- und Schreibzugänge zum SDRAM sind burstorientiert; die Zugänge beginnen an einem ausgewählten Ort und dauern für eine bestimmte Anzahl von Standorten in einer programmierten Sequenz an.Der Zugriff beginnt mit der Registrierung eines ACTIVE-BefehlsDie mit dem ACTIVE-Befehl übereinstimmenden Adressbits werden verwendet, um die Bank und Zeile auszuwählen, auf die zugegriffen werden soll (BA0, BA1, Bank auswählen,A0-A10 wählen Sie die Zeile aus). Die mit dem READ- oder WRITE-Befehl übereinstimmenden Adressbits werden verwendet, um den Startpunkt der Spalte für den Burst-Zugriff auszuwählen.

Eigenschaften

• PC100-Funktionalität
• Voll synchron; alle Signale werden am positiven Rand der Systemuhr registriert
• Interner Pipeline-Betrieb; die Spaltenadresse kann bei jedem Taktzyklus geändert werden
• Interne Banken für den Zugang/die Vorladung in versteckter Reihe
• Programmierbare Aufnahmelänge: 1, 2, 4, 8 oder ganze Seite
• Automatisches Vorladen, einschließlich des CONCURRENT AUTO PRECHARGE- und des Auto-Refresh-Modus
• Selbsterfrischungsmodus
• 64 ms, 4.096-Zyklus-Aktualisierung (15,6 μs/Zeile)
• LVTTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Einzelne Stromversorgung +3,3V ±0,3V
• Unterstützt CAS-Latenz von 1, 2 und 3

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung
Packungskoffer 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 86-TSOP II
Speicherkapazität 64 M (2 M x 32)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 167 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 64Mb (2M x 32) Parallel 167MHz 5,5ns 86-TSOP II