W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics

Markenname Winbond Electronics
Modellnummer W631GG6KB-12
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM - DDR3 Speicherkapazität 1Gbit
Speicherorganisation 64M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 20 ns Spannung - Versorgung 1.425V | 1.575V
Betriebstemperatur 0°C | 85°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 96-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 96-WBGA (9x13)
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Part Number Description
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA
W632GG6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB15J IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15J IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Generell beschrieben

Der W631GG6KB ist ein 1G Bit DDR3 SDRAM, organisiert als 8,388,608 Wörter x 8 Banken x 16 Bits. Dieses Gerät erzielt Hochgeschwindigkeitsübertragungsraten von bis zu 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) für verschiedene Anwendungen.- 12Die -11-Geschwindigkeitsstufe entspricht der Spezifikation DDR3-1866 (13-13).Die Drehzahl 12A und 12K entspricht der Spezifikation DDR3-1600 (11-11-11) (die Industrie-Durchmesser 12I, die garantiert -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C unterstützen). Die Drehzahlstufen -15, 15I, 15A und 15K entsprechen der Spezifikation DDR3-1333 (9-9-9) (die 15I-Industriestelle, die garantiert -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C unterstützt).

Eigenschaften

Die Leistung wird durch die Werte des Wertes der Leistung ermittelt, die für die Werte des Wertes der Leistung verwendet werden.
¢ Architektur der Doppeldatenrate: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
- Acht interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
- 8 Bit-Prefetch-Architektur
CAS-Latenz: 6, 7, 8, 9, 10, 11 und 13
¢ Burst-Länge 8 (BL8) und Burst-Chop 4 (BC4) -Modi: über das Modusregister (MRS) festgelegt oder im Flug (OTF) auswählbar
- Programmierbare Lese-Blitz-Ordnungsweise: zwischenlaufend oder nachfolgend
Die Daten werden mit zwei Richtungen, Differenzstrobos (DQS und DQS#) übertragen/empfangen.
- Rand-ausgerichtet mit Lesedaten und Mitte-ausgerichtet mit Schreibdaten
DLL richtet DQ und DQS-Übergänge mit der Uhr aus
¢ Differential-Uhr-Eingänge (CK und CK#)
 Commands entered on each positive CK edge, data and data mask are referenced to both edges of a differential data strobe pair (double data rate)
 Ein CAS mit programmierbarer additiver Latenzzeit (AL = 0, CL - 1 und CL - 2) für eine verbesserte Effizienz von Befehl, Adresse und Datenbus
¢ Leseverzögerung = Additive Verzögerung plus CAS-Verzögerung (RL = AL + CL)
¢ Automatisches Vorladen für Lesen und Schreiben
️ Erneuerung, Selbsterneuerung, automatische Selbsterneuerung (ASR) und partielle Array-Selbsterneuerung (PASR)
Vorgeladener Stromausfall und aktiver Stromausfall

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Winbond Elektronik
Produktkategorie Speicher-ICs
Kategorie Rechteckverbindungen - Arrays, Randart, Mezzanine (Board to Board)
Hersteller Hirose Electric Co. Ltd.
Reihe IT1
Verpackung Tray
Teilstatus Aktiv
Typ des Steckers Modul, Mittelstreifenkontakte
Anzahl der Positionen 252 Positionen
Schwingung 0.020" (0,50mm)
Anzahl der Zeilen 2 Zeilen
Montageart -
Eigenschaften Zwei-seitig
Kontakt-Finale Gold
Kontakt-Finixierungsdicke -
Gepaarte Stapelhöhen -
Höhe über Bord -

Beschreibungen

SDRAM - DDR3-Speicher IC 1 GB (64M x 16) Parallel 800 MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
DRAM-Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1,5V 96-Pin WBGA