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MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | USE Gefahrenabweichung |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | D-RAM | Speicherkapazität | 288Mbit |
| Speicherorganisation | 16 M x 18 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | 20 ns | Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C | 95°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 144-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT49H16M18SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-5 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M16FM-5 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36BM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36SJ-5:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H64M9SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25E:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H64M9SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Generell beschrieben
The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. RLDRAM benötigt keine Zeilen-/Spaltenadress-Multiplexung und ist für schnellen Zufallszugriff und hohe Bandbreite optimiert.RLDRAM ist für Kommunikationsdatenspeicher wie Sende- oder Empfangspuffers in Telekommunikationssystemen sowie Daten- oder Instruktionscache-Anwendungen konzipiert, die große Mengen an Speicher benötigen.
Eigenschaften
• 2,5V VEXT, 1,8V VDD, 1,8V VDDQ E/A• Zyklische Bankadressung für maximale Datenbandbreite
• Nicht mehrfach verknüpfte Adressen
• Nicht unterbrechbarer sequentieller Ausbruch von zwei (2-Bit)
DDR-Dateien (DDR-Dateien) und vier (4-Bit-Dateien)
• Ziel 600 Mb/s/p Datenrate
• Programmierbare Leseverzögerung (RL) von 5-8
• Daten gültiges Signal (DVLD) aktiviert, wenn Lesedaten verfügbar sind
• Datenmaskensignale (DM0/DM1) zuerst und
Zweiter Teil des Datenaufschlags
• IEEE 1149.1-konforme JTAG-Grenzscan
• Pseudo-HSTL 1,8 V I/O-Versorgung
• Interne automatische Vorladung
• Erneuerungsanforderungen: 32 ms bei 100°C
Temperatur (8K-Aktualisierung für jede Bank, 64K-Aktualisierung
Befehl muss alle 32 ms ausgegeben werden)
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Verpackung mit Band und Rolle (TR) |
| Packungskoffer | 144-TFBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,9 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | mit einer Breite von mehr als 20 mm, |
| Speicherkapazität | 288M (16M x 18) |
| Speichertypen | RLDRAM 2 |
| Geschwindigkeit | 2.5ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
DRAM-Speicher IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
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