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IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

  • IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS42S16100H-7BL-TR
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 16Mbit
Speicherorganisation 1M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 143 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 5,5 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 60-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Berechnung der Leistung von Fahrzeugen, die in einem Fahrzeug mit einer Leistung von
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Part Number Description
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
AS4C4M16SA-7B2CNTR IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
AS4C4M16SA-7B2CN IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
IS42S16400J-7B2LI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400J-7B2LI IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-6BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

DESKRIPPUNG ISSI ′s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100 ist für eine verbesserte Leistung als 524.288-Wort x 16-Bit x 2-Bank organisiert.Die synchronen DRAMs ermöglichen eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung mittels Pipeline-Architektur. Alle Eingabe- und Ausgangssignale beziehen sich auf den aufsteigenden Rand des Uhreneingangs.

Eigenschaften

• Uhrfrequenz: 166, 143, 100 MHz
• Voll synchron; alle Signale sind auf eine positive Uhrzeile verwiesen
• Zwei Banken können gleichzeitig und unabhängig voneinander betrieben werden
• Doppelinterne Bank, die von A11 kontrolliert wird (Bank wählen)
• Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung
• LVTTL-Schnittstelle
• Programmierbare Ausstrahlungslänge ?? (1, 2, 4, 8, ganze Seite)
• Programmierbare Ausbruchssequenz: Sequential/Interleave
• Automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung
• 4096 Aktualisierungszyklen alle 128 ms
• Zufällige Spaltenadresse für jeden Uhrzyklus
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (2, 3 Stunden)
• Fähigkeit zur Lese-/Schreib- und Lese-/Einschreibfunktion
• Burst-Endung durch Burst-Stop- und Vorladekommando
• Bytes, die von LDQM und UDQM gesteuert werden
• Paket 400-mil- 50-Pin TSOP II

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Verpackung mit Band und Rolle (TR)
Packungskoffer 60-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung von Fahrzeugen, die in einem Fahrzeug mit einer Leistung von mehr als 50 kW sind
Speicherkapazität 16M (1M x 16)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 143 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 16Mb (1M x 16) Parallel 143MHz 5,5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
16M, 3.3V, SDRAM, 1MX16, 143MH
DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz, RoHS
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC