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S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Deutschland GmbH
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, DDR II |
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | NVSRAM |
| Technologie: | NVSRAM (permanentes SRAM) |
AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EPROM |
| Technologie: | EPROM - OTP |
BR24S64FJ-WE2 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ Rohm Halbleiter
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |