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S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR2 |
W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3 |
W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
CY62128ELL-45SXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
CAT24C16WI-GT3 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC auf halbem
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
7026L15JG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse |
AT27LV040A-12VI IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32VSOP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EPROM |
| Technologie: | EPROM - OTP |
70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse |
FM25L16B-GTR IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |