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W25Q80DVZPIG IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Elektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
CY7C1353S-100AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Halbleiter Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
CY62147EV18LL-55BVXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
W25N01GVZEIG IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON Winbond Elektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND (SLC) |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B IC DRAM 4GBIT 2,133 GHz WFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - Bewegliches LPDDR4 |
MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, QDR II+ |