MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ - NAND Speicherkapazität 1Gbit
Speicherorganisation 128M x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 48-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 48-TSOP I
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Part Number Description
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
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M29F160FB5AN6F2 IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
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MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
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TE28F160C3BD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
TE28F160C3TD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
TE28F320C3TD70A IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
TE28F160C3BD90A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F160B3TD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F160C3BD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F160C3TD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F320C3BD70A IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
JS28F320C3TD70 IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
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MT29F128G08CFAAAWP-IT:A IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F16G08ABACAWP-IT:C IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F8G16ABACAWP:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F8G16ABACAWP-IT:C IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
M29F160FB5AN6F2 TR IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
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MT29F32G08ABAAAWP:A TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F64G08AFAAAWP-IT:A TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBAAAWP-IT:A TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08AFABAWP:B IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08AFABAWP-IT:B IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
NAND128W3AABN6E IC FLASH 128MBIT PAR 48TSOP I
NAND512R3A2SN6E IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
NAND512R3A2SN6F IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFAAAWP:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFAABWP-12:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJAABWP-12:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F128G08EBEBBWP:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08EFEBBWP:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
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NAND128W3AABN6F TR IC FLASH 128MBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F32G08CBADAWP:D TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F4G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F128G08EBEBBWP:B IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08EFEBBWP:B IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F4G08ABADAWP-E:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F16G08ABABAWP-AIT:B IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F4G08ABADAWP-AT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F64G08CBABAWP-M:B IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F128G8CFABBWP-12:B IC FLASH 128GBIT 48TSOP
MT29F128G8CFABBWP-12:B TR IC FLASH 128GBIT 48TSOP
MT29F64G08CBABBWPR:B TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBABBWPR:B IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F32G08CBADBWPR:D TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F1G08ABADAWP-E:D IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G08ABAEAWP-E:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G08ABADAWP-E:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F32G08CBADBWPR:D IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10:B IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08CFACAWP:C TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F512G08CFCBBWP-10:B IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFEFBWP:F IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBEFBWP:F IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBEFBWP-M:F IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBEFBWPR:F IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B TR IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08ABAAAWP-Z:A TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F1G08ABAFAWP-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Allgemeine Beschreibung

Micron NAND Flash-Geräte verfügen über eine asynchrone Datenschnittstelle für Hochleistungs-E/A-Operationen.Es gibt fünf Steuerungssignale zur Implementierung der asynchronen Datenschnittstelle: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern die Schreibschutz-Hardware und überwachen den Gerätestatus (R/B#).
Diese Hardware-Schnittstelle erzeugt ein Gerät mit geringer Pinzahl mit einem Standard-Pinout, das von einer Dichte zur anderen gleich bleibt, was zukünftige Upgrades zu höheren Dichte-Bindungen ohne Neugestaltung des Boards ermöglicht.
Ein Ziel ist die Speichereinheit, auf die ein Chip-Aktivierungssignal zugreift.Ein NAND-Flash-Dei ist die minimale Einheit, die Befehle unabhängig voneinander ausführen und den Status melden kannEine NAND-Flash-Matrix wird in der ONFI-Spezifikation als logische Einheit (LUN) bezeichnet.siehe Organisation von Geräten und Arrays.
Dieses Gerät verfügt über einen internen 4-Bit-ECC, der mit den Funktionen GET/SET aktiviert werden kann.
Weitere Informationen finden Sie in den Abschnitten "Internal ECC and Reserve Area Mapping for ECC".

Eigenschaften

• Offene NAND-Flash-Schnittstelle (ONFI) 1.0-konform1
• Technologie der Einzelzellen (SLC)
• Organisation
️ Seitengröße x8: 2112 Bytes (2048 + 64 Bytes)
Seite x16: 1056 Wörter (1024 + 32 Wörter)
Blockgröße: 64 Seiten (128K + 4K Bytes)
Flugzeuggröße: 2 Flugzeuge x 2048 Blöcke pro Flugzeug
¢ Gerätegröße: 4 GB: 4096 Blöcke; 8 GB: 8192 Blöcke 16 GB: 16.384 Blöcke
• Asynchrone E/A-Leistung
 TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Leistung des Arrays
Lesen der Seite: 25μs 3
¢ Programmseite: 200 μs (Typ: 1,8 V, 3,3 V) 3
¢ Löschblock: 700 μs (TYP)
• Befehlssatz: ONFI NAND Flash-Protokoll
• Erweiterte Befehlssätze
¢ Cache-Modus der Programmseite4
Lesen des Cachemodus 4
Einmalprogrammierbarer (OTP) Modus
Befehle für zwei Ebenen 4
– Interleaved die (LUN) operations
– Read unique ID
️ Blockverschluss (nur 1,8 V)
– Internal data move
• Das Betriebszustand-Byte stellt eine Softwaremethode zur Erkennung
¢ Abschluss der Operation
– Pass/fail condition
️ Schreibschutzstatus
• Das Signal "Ready/Busy#" (R/B#) stellt eine Hardwaremethode zur Erkennung des Abschlusses der Operation bereit.
• WP#-Signal: Schreiben schützen das gesamte Gerät
• Der erste Block (Blockadresse 00h) ist gültig, wenn er von der Fabrik mit ECC ausgeliefert wird.
• Block 0 erfordert 1-Bit-ECC, wenn die Programm-/ERASE-Zyklen weniger als 1000 sind
• Reset (FFh) als erster Befehl nach dem Einschalten erforderlich
• Alternative Methode der Geräteinitialisierung (Nand_In it) nach dem Einschalten (Kontaktfabrik)
• Interne Datenbewegungsvorgänge innerhalb der Ebene, aus der Daten gelesen werden, werden unterstützt
• Qualität und Verlässlichkeit
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
- Langlebigkeit: 100.000 Programm-/ Löschzyklen
• Betriebsspannungsbereich
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Betriebstemperatur:
️ Handelsgewerbe: 0°C bis +70°C
Industrie (IT): von 40 °C bis + 85 °C
• Paket
️ 48-Pin-TSOP-Typ 1, CPL2
- 63-Ball VFBGA

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Packungskoffer 48-TFSOP
Technologie FLASH - NAND
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Montageart Oberflächenbefestigung
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V
Speicherkapazität 1 GB (128 M x 8)
Speichertypen Nicht flüchtig
Speicheroberfläche Parallel
Paket Band und Rolle (TR)
Speicherformat Flasch