MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ - NAND Speicherkapazität 2Gbit
Speicherorganisation 256M x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 63-VFBGA Lieferanten-Gerätepaket 63-VFBGA (9x11)
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Part Number Description
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Allgemeine Beschreibung

Micron NAND Flash-Geräte verfügen über eine asynchrone Datenoberfläche für leistungsstarke E/A-Operationen.Es gibt fünf Steuerungssignale, die zur Implementierung der asyn chronous Datenoberfläche verwendet werden: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern den Schreibschutz der Hardware (WP#) und überwachen den Gerätestatus (R/B#).

Eigenschaften

• Offene NAND-Flash-Schnittstelle (ONFI) in Übereinstimmung mit 2.2
• Mehrstufige Zelltechnologie (MLC)
• Organisation
️ Seitengröße x8: 8640 Bytes (8192 + 448 Bytes)
Blockgröße: 256 Seiten (2048K + 112K Bytes)
Flugzeuggröße: 2 Flugzeuge x 2048 Blöcke pro Flugzeug
¢ Gerätegröße: 64 GB: 4096 Blöcke;
128 GB: 8192 Blöcke;
256 GB: 16.384 Blöcke;
512Gb: 32.786 Blöcke
• Synchrone E/A-Leistung
- bis zum synchronen Zeitmodus 5
¢ Uhrzeit: 10ns (DDR)
¢ Lesen/Schreiben-Durchsatz pro Pin: 200 MT/s
• Asynchrone E/A-Leistung
- bis zum asynchronen Zeitmodus 5
- Ich weiß.
TRC/tWC: 20 ns (MIN)
• Leistung des Arrays
Lesezeit: 50 μs (MAX)
¢ Programmseite: 1300 μs (TYP)
- Löschblock: 3 ms (TYP)
• Betriebsspannungsbereich
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
VCCQ: 1,7V1,95V, 2,7V3,6V
• Befehlssatz: ONFI NAND Flash-Protokoll
• Erweiterte Befehlssätze
️ Cache des Programms
– Read cache sequential
Lese Cache zufällig
Einmalprogrammierbarer (OTP) Modus
¢ Kommandos für mehrere Ebenen
¢ Mehrfachbetrieb mit mehreren LUN
– Read unique ID
– Copyback
• Der erste Block (Blockadresse 00h) gilt bei Versand
Für die erforderliche minimale ECC siehe
Fehlermanagement (Seite 109).
• Reset (FFh) als erster Befehl nach dem Anschalten erforderlich
auf
• Betriebsstatus-Byte liefert eine Softwaremethode für
Ermittlung
¢ Abschluss der Operation
– Pass/fail condition
️ Schreibschutzstatus
• Datenstrobossignale (DQS) liefern eine Hardwaremethode
für die Synchronisierung von Daten DQ im synchronen
Schnittstelle
• Im Flugzeug unterstützte Kopiervorgänge
von dem Daten gelesen werden
• Qualität und Verlässlichkeit
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
¢ Langlebigkeit: 5000 Programm-/ Löschzyklen
• Betriebstemperatur:
️ Handelsgewerbe: 0°C bis +70°C
Industrie (IT): von 40 °C bis + 85 °C
• Paket
LGA mit 52 Pads
48-Pin-TSOP
- 100 Kugeln BGA

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Kategorie Gedächtnis
Hersteller Micron Technologie Inc.
Reihe -
Verpackung Tray
Teilstatus Aktiv
Speichertypen Nicht flüchtig
Speicherformat Flasch
Technologie FLASH - NAND
Speichergröße 2 GB (256 M x 8)
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite -
Speicheroberfläche Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Montageart Oberflächenbefestigung
Packungskoffer 63-VFBGA
Lieferant-Gerät-Verpackung Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
Basisteilzahl MT2F2G08

Beschreibungen

FLASH - NAND-Speicher IC 2 GB (256 M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-Bit 256M x 8 63-Pin VFBGA-Tray