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S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
24LC64T-I/ST IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
IS61NLP51236B-200B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
SST39VF010-70-4I-NHE IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
CAT24C128YI-GT3 IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP auf halb
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W25X20CLSNIG IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse |
24LC01BT-I/SN IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC-Mikrochiptechnologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, QDR II |