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MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA Alliance Memory, Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3L |
S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
BR24T256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Rohm Halbleiter
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR2 |
W25N01GVZEIG TR IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 8WSON Winbond Elektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALLEL 80TQFP Cypress Halbleiter Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse |
CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |