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AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Deutschland GmbH
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Cypress Halbleiter Corp.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3L |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | NVSRAM |
| Technologie: | NVSRAM (permanentes SRAM) |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Mikrochiptechnologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1,6 GHz 200WFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - Bewegliches LPDDR4 |
AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Deutschland GmbH
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |