DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Markenname Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Modellnummer DS1345YP-70+
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.

x
Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format NVSRAM
Technologie NVSRAM (permanentes SRAM) Speicherkapazität 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 70ns
Zugriffzeit 70 ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse Modul 34-PowerCap™ Lieferanten-Gerätepaket 34-PowerCap-Modul
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
Part Number Description
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS3065WP-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1245WP-100IND+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1250ABP-100+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
DS1245ABP-70+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1345WP-100+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330YP-100+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
Hinterlass eine Nachricht
Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Die DS1345 1024k NV SRAMs sind 1,048576-Bit, vollständig statische NV SRAMs, organisiert als 131.072 Wörter mit 8 Bit.Jeder NV-SRAM verfügt über eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerungsschaltung, die VCC ständig auf einen außerhalb der zulässigen Bedingungen überwacht.Wenn ein solcher Zustand auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz ist bedingungslos aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern.Die DS1345-Geräte verfügen über spezielle Schaltungen zur Überwachung des Zustands von VCC und des Zustands der internen Lithiumbatterie..

Eigenschaften

■ 10 Jahre Mindestdatenspeicherung bei Abwesenheit einer externen Stromversorgung
■ Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
■ Der Stromversorgungsmonitor setzt den Prozessor zurück, wenn ein VCC-Leistungsverlust auftritt, und hält den Prozessor während des VCC-Ramp-ups zurück
■ Die Batterieüberwachung überprüft täglich die verbleibende Kapazität
■ Lese- und Schreibzugangszeiten von 70 ns
■ Unbegrenzte Schreibzyklusdauer
■ Typischer Standby-Strom 50 μA
■ Upgrade auf 128k x 8 SRAM, EEPROM oder Flash
■ Die Lithiumbatterie wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische zu bewahren, bis zum ersten Stromansatz
■ Voller ±10% VCC-Betriebsbereich (DS1345Y) oder optional ±5% VCC-Betriebsbereich (DS1345AB)
■ Optionale industrielle Temperaturbereiche von -40°C bis +85°C, bezeichnet als IND
■ PowerCap-Modul (PCM) - Paket
- Modul, das direkt auf der Oberfläche montiert werden kann
- Ersetzbare Schnaps-on PowerCap bietet Lithium-Backup-Batterie
- Standardisierte Pinout für alle nichtflüchtigen (NV) SRAM-Produkte
#NAME?

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Maxim integriert
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe DS1345Y
Verpackung Schlauch
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 34-PowerCap?
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 34-PowerCap-Modul
Speicherkapazität 1M (128K x 8)
Speichertypen NVSRAM (nicht flüchtige SRAM)
Geschwindigkeit 70 ns
Zugriffszeit 70 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Betriebsversorgungsstrom 85 mA
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 128 k x 8
Teil-#-Alias 90-1345Y+P70 DS1345Y
Datenbusbreite 8 Bit
Versorgungsspannung 5.5 V
Versorgungsspannung-Min 4.5 V
Packungskoffer PowerCap-Modul 34

Beschreibungen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 70ns 34-PowerCap Modul
NVRAM 1024K NV SRAM mit Batteriemonitor