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MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Mikrochiptechnologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - mobile LPDDR2 |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLEL 40VSOP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2,133GHZ 200VFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - Bewegliches LPDDR4 |
CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC auf halbem
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Elektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND (SLC) |