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CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM |
IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Rohm Halbleiter
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR4 |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |