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71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

  • 71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc
Markenname Renesas Electronics America Inc
Modellnummer 71V424S10YG8
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Asynchron Speicherkapazität 4Mbit
Speicherorganisation 512K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 10ns
Zugriffzeit 10 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 36-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 36-SOJ
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Part Number Description
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128BLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61C5128AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128BLL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61C5128AL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV2568EDBLL-10KLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV2568L-10KLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV2568L-10KLI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10K IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10K-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L10YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L10YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L12YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L12YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424L15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S10YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S12YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S12YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15Y8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424S15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424YS12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Die IDT71V424 ist eine 4,194Es wird mit Hilfe der hochleistungsfähigen, zuverlässigen CMOS-Technologie von IDT® hergestellt.kombiniert mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicheranforderungen.

Eigenschaften

◆512K x 8 hochgeschwindiges CMOS-statisches RAM
◆JEDEC Center Power / GND-Pinout für geringe Lärmbelastung
◆Gleicher Zugang und gleicher Fahrtzeit
Handels- und Industriezweige: 10/12/15
◆Einmalige 3,3-Volt-Stromversorgung
◆Ein Chip Select plus ein Output Enable Pin
◆Bidirectional Dateneingaben und -Ausgänge direkt mit TTL kompatibel
◆Niedriger Stromverbrauch durch Chip-Auswählung
◆Verfügbar in 36-Stift, 400 ml Plastik-SOJ-Packung und 44-Stift, 400 ml TSOP.

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Integrierte Schaltkreissysteme
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe 71V424
Typ Asynchron
Verpackung Alternative Verpackungen
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 36-SOJ
Speicherkapazität 4M (512K x 8)
Speichertypen SRAM - Asynchron
Geschwindigkeit 10n
Zugriffszeit 10 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 512 k x 8
Versorgungsstrom maximal 180 mA
Teil-#-Alias 71V424 IDT71V424S10YG8
Versorgungsspannung 3.6 V
Versorgungsspannung-Min 3 V
Packungskoffer SOJ-36
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
K6R4008V1B-JC10
Gedächtnis		 Standard-SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 Samsung Halbleiter 71V424S10YG8 gegen K6R4008V1B-JC10
71V424L10YGI8
Gedächtnis		 SOJ-36, Spirale Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V424S10YG8 gegen 71V424L10YGI8
AS7C34096A-10JCN
Gedächtnis		 Standard-SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, ohne Blei, SOJ-36 Alliance Memory Inc. Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von mehr als 100 kW ausgestattet.
71V424S10YGI8
Gedächtnis		 SOJ-36, Spirale Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V424S10YG8 gegen 71V424S10YGI8
IS61LV5128AL-10KLI
Gedächtnis		 Standard-SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, ohne Blei, aus Kunststoff, MS-027, SOJ-36 Integrierte Siliziumlösungen Inc. 71V424S10YG8 gegen IS61LV5128AL-10KLI
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht.
Gedächtnis		 Standard-SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 INCH, ohne Blei, SOJ-36 Alliance Memory Inc. Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von mehr als 100 kW ausgestattet.
AS7C34096A-10JI
Gedächtnis		 Standard-SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 Alliance Memory Inc. 71V424S10YG8 gegen AS7C34096A-10JI

Beschreibungen

SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns 36-SOJ
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOS 3.3V CMOS SRAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC