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71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc.
| Markenname | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Modellnummer | 71V416S12BEI |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 4Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffzeit | 12 ns | Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 48-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 48-CABGA (9x9) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V416S12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S12BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S10BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416S15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416L10BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416L10BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416L10BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416L10BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416S10BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416S10BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL10BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL10BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL15BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VL15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS10BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS10BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die IDT71V416 ist eine 4,194Es wird mit hochleistungsfähiger, zuverlässiger CMOS-Technologie hergestellt.kombiniert mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicheranforderungen.Der IDT71V416 verfügt über einen Ausgangs-Aktivierungspin, der bis zu 5 ns und eine Adresszugriffszeit von bis zu 10 ns funktioniert.Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des IDT71V416 sind LVTTL-kompatibel und werden von einem einzigen 3.3V-Versorgung. Es wird eine vollständig statische asynchrone Schaltung verwendet, für die keine Uhren oder Aktualisierungen erforderlich sind.
Eigenschaften
◆ 256K x 16 hochgeschwindiges CMOS-statisches RAM◆ JEDEC Center Power / GND-Pinout für geringe Geräusche.
◆ Gleicher Zugang und gleiche Fahrradzeiten
Handels- und Industriezweige: 10/12/15
◆ Ein Chip Select plus ein Output Enable Pin
◆ Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt LVTTL-kompatibel
◆ Niedriger Stromverbrauch durch Chip-Auswählung
◆ Pins, die das Auf- und Absteigen von Byte ermöglichen
◆ Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung
◆ Erhältlich in einem 44-Spitzen, 400 Millimeter langen Plastik-SOJ-Paket und einem 44-Spitzen, 400 Millimeter langen TSOP-Type II-Paket sowie einem 48-Kugel-Gitter-Array, 9 mm x 9 mm-Paket.
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | 71V416 |
| Typ | Asynchron |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 48-TFBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 48-CABGA (9x9) |
| Speicherkapazität | 4M (256K x 16) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | 12 ns |
| Zugriffszeit | 12 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 85 °C |
| Betriebstemperaturbereich | - 40 °C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 256 k x 16 |
| Versorgungsstrom maximal | 180 mA |
| Teil-#-Alias | 71V416 IDT71V416S12BEI |
| Versorgungsspannung | 3.6 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3 V |
| Packungskoffer | CABGA-48 |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| IDT71V416S12BEI8 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416S12BEI8 |
| IDT71V416YS12BEG3 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS-konform, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416YS12BEG3 |
| Die Bezeichnung der Beförderungsstelle ist die Beförderungsstelle. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416S12BEI |
| IDT71V416VS12BEGI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416VS12BEGI |
| Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416YS12BEGI |
| Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, POWER, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416YFS12BEI |
| 71V416VS12BEGI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS-konform, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen 71V416VS12BEGI |
| 71V416S12BEI8 Gedächtnis |
CABGA-48, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen 71V416S12BEI8 |
| IDT71V416S12BEGI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen IDT71V416S12BEGI |
| 71V416S12BEGI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS-konform, BGA-48 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S12BEI gegen 71V416S12BEGI |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 48-CABGA (9x9)
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOS 3.3V CMOS SRAM mit einer Leistung von
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