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MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM - DDR4 | Speicherkapazität | 8 GB |
Speicherorganisation | 1G x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 1,6 Gigahertz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.14V | 1.26V |
Betriebstemperatur | -40°C | 95°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 78-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 78-FBGA (7.5x11) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT40A4G4SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A1G8SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-075:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
MT40A512M8SA-062E:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
MT40A512M8SA-075:F | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AIT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E IT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AAT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E AUT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AIT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G8SA-062E IT:F | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AAT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A4G4SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AIT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AIT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AUT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AUT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AAT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G16TD-062E AAT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
MT40A1G8SA-075:H | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-075 C:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A4G4SA-062E PS:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062EPS:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A2G4SA-062E PS:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AIT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AAT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AIT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AUT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Diese 1500-Watt-Verschiebungsspannungsschutzgeräte bieten Leistungsvermögen, das nur in größeren Paketen zu finden ist.Sie werden am häufigsten zum Schutz vor Übergangsströmen aus induzierenden Schaltumgebungen oder induzierten Sekundärblitzeffekten verwendet, wie sie in niedrigeren Überspannungsebenen von IEC61000-4-5 zu finden sind.Mit sehr schnellen Reaktionszeiten sind sie auch wirksam beim Schutz vor ESD oder EFT.Die Packungsmerkmale von Powermite® umfassen einen vollmetallischen Boden, der die Möglichkeit eines Einschlusses des Lötflusses während der Montage ausschließtSie bieten auch ein einzigartiges Schließfach, das als integrierter Wärmeschlauch fungiert.die parasitäre Induktivität wird minimiert, um Spannungsüberschreitungen bei schnellen Aufstiegszeit-Transienten zu reduzieren.
Eigenschaften
• Verpackung mit sehr niedrigem Profil (1.1 mm)• Einheitliche Wärmeschlauchverschlüsse
• Kompatibel mit automatischen Einfügungseinrichtungen
• Der vollmetallische Boden verhindert, dass der Fluss eingeklemmt wird
• Spannungsbereich von 5 Volt bis 170 Volt
• Erhältlich in einer oder zwei Richtungen (C-Suffix für zwei Richtungen)
Höchste Ratings
• Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C• Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
• 1500 Watt Spitzenimpulsleistung (10 / 1000 μsec)
• Vorwärtsströmung: 200 Ampere bei 8,3 ms (ohne bidirektionale)
• Wiederholungsschwellenquote (Zollfaktor): 0,01%
• Wärmewiderstand: 2,5°C/Watt Verbindung zu Tab 130°C/Watt Verbindung zu Umgebung mit empfohlenem Fußabdruck
• Blei- und MontageTemperatur: 260°C für 10 Sekunden
Anwendungen / Vorteile
• Sekundärblitzschutz• Induktionsschaltvorgangsschutz
• Kleiner Fußabdruck
• Sehr geringe parasitäre Induktivität für minimale Spannungsüberschreitungen
• Konformität mit IEC61000-4-2 bzw. IEC61000-4-4 für den ESD- bzw. EFT-Schutz und IEC61000-4-5 für die hier definierten Überspannungswerte
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Micron Technologie Inc. |
Produktkategorie | IC-Chips |
Mfr | Micron Technologie Inc. |
Reihe | - |
Paket | Tray |
Produktstatus | Aktiv |
Speichertypen | Flüchtig |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR4 |
Speichergröße | 8 GB (1G x 8) |
Speicheroberfläche | Parallel |
Uhrfrequenz | 1,6 GHz |
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite | - |
Spannungsversorgung | 1,14 V bis 1,26 V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 95 °C (TC) |
Montageart | Oberflächenbefestigung |
Packungskoffer | 78-TFBGA |
Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Berechnung der Leistung der Fahrzeugtechnik |
Nummer des Basisprodukts | USE Gefahrenabwehr |
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