MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer MT40A1G8SA-062E IT: E
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM - DDR4 Speicherkapazität 8 GB
Speicherorganisation 1G x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 1,6 Gigahertz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 1.14V | 1.26V
Betriebstemperatur -40°C | 95°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 78-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 78-FBGA (7.5x11)
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Part Number Description
MT40A4G4SA-062E:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A1G8SA-075:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-075:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-075:F TR DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A512M8SA-062E:F TR DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A512M8SA-075:F DDR4 4G 512MX8 FBGA
MT40A1G8SA-062E AIT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AIT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E IT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E IT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AAT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E AUT:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A2G8SA-062E:F TR IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AIT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E IT:F TR IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G8SA-062E IT:F IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AAT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A4G4SA-062E:F TR IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A1G16TD-062E AIT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AIT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A512M8SA-062E AUT:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G16TD-062E AUT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AAT:F DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G16TD-062E AAT:F TR DDR4 16G 1GX16 FBGA
MT40A1G8SA-075:H IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:J TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E IT:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-075 C:E IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4SA-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A4G4SA-062E PS:F IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
MT40A2G4SA-062EPS:J IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4SA-062E:G IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8SA-062E:G IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A2G4SA-062E PS:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AIT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AAT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AIT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AUT:R IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Diese 1500-Watt-Verschiebungsspannungsschutzgeräte bieten Leistungsvermögen, das nur in größeren Paketen zu finden ist.Sie werden am häufigsten zum Schutz vor Übergangsströmen aus induzierenden Schaltumgebungen oder induzierten Sekundärblitzeffekten verwendet, wie sie in niedrigeren Überspannungsebenen von IEC61000-4-5 zu finden sind.Mit sehr schnellen Reaktionszeiten sind sie auch wirksam beim Schutz vor ESD oder EFT.Die Packungsmerkmale von Powermite® umfassen einen vollmetallischen Boden, der die Möglichkeit eines Einschlusses des Lötflusses während der Montage ausschließtSie bieten auch ein einzigartiges Schließfach, das als integrierter Wärmeschlauch fungiert.die parasitäre Induktivität wird minimiert, um Spannungsüberschreitungen bei schnellen Aufstiegszeit-Transienten zu reduzieren.

Eigenschaften

• Verpackung mit sehr niedrigem Profil (1.1 mm)
• Einheitliche Wärmeschlauchverschlüsse
• Kompatibel mit automatischen Einfügungseinrichtungen
• Der vollmetallische Boden verhindert, dass der Fluss eingeklemmt wird
• Spannungsbereich von 5 Volt bis 170 Volt
• Erhältlich in einer oder zwei Richtungen (C-Suffix für zwei Richtungen)

Höchste Ratings

• Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C
• Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
• 1500 Watt Spitzenimpulsleistung (10 / 1000 μsec)
• Vorwärtsströmung: 200 Ampere bei 8,3 ms (ohne bidirektionale)
• Wiederholungsschwellenquote (Zollfaktor): 0,01%
• Wärmewiderstand: 2,5°C/Watt Verbindung zu Tab 130°C/Watt Verbindung zu Umgebung mit empfohlenem Fußabdruck
• Blei- und Montage­Temperatur: 260°C für 10 Sekunden

Anwendungen / Vorteile

• Sekundärblitzschutz
• Induktionsschaltvorgangsschutz
• Kleiner Fußabdruck
• Sehr geringe parasitäre Induktivität für minimale Spannungsüberschreitungen
• Konformität mit IEC61000-4-2 bzw. IEC61000-4-4 für den ESD- bzw. EFT-Schutz und IEC61000-4-5 für die hier definierten Überspannungswerte

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie IC-Chips
Mfr Micron Technologie Inc.
Reihe -
Paket Tray
Produktstatus Aktiv
Speichertypen Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR4
Speichergröße 8 GB (1G x 8)
Speicheroberfläche Parallel
Uhrfrequenz 1,6 GHz
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite -
Spannungsversorgung 1,14 V bis 1,26 V
Betriebstemperatur -40 °C bis 95 °C (TC)
Montageart Oberflächenbefestigung
Packungskoffer 78-TFBGA
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung der Fahrzeugtechnik
Nummer des Basisprodukts USE Gefahrenabwehr