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AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Deutschland GmbH

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | BLITZ |
---|---|---|---|
Technologie | BLITZ | Speicherkapazität | 4Mbit |
Speicherorganisation | 264 Bytes x 2048 Seiten | Gedächtnis-Schnittstelle | SPI |
Taktfrequenz | 85 MHZ | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 8 μs, 3 ms |
Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.65V | 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 8-SOIC (0,209", 5.30mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
Part Number | Description | |
---|---|---|
AT45DB041E-SHN-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHN-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHN-B | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHD-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHF-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHN-B | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHF-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHF2B-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHFHJ-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHD-B | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB641E-SHN2B-T | IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHF-B | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB641E-SHN-T | IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHF-B | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB641E-SHN-B | IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHN2B-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHN-B | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHFHA-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHF-B | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHNHA-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHN2B-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHNHA-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHNHT-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHF-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHF2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DB321E-SHFHA-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHFHD-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHFHB-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ321-SHF2B-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHFHJ-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ321-SHF-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHNHA-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHN-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHNHC-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHN2B-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHNHC-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SSHNHT-B | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHNHC-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHF2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHF-B | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DB161E-SHFHC-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT26DF081A-SSU | IC FLASH 8MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT26DF081A-SU | IC FLASH 8MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT26DF161-SU | IC FLASH 16MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT26DF161A-SU | IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT26DF321-SU | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT26F004-SU | IC FLASH 4MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-B | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB021D-SH-B | IC FLASH 2MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-2.5 | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-2.5 | IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB161D-SU | IC FLASH 16MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB161D-SU-2.5 | IC FLASH 16MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-2.5 | IC FLASH 32MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB021D-SH-T | IC FLASH 2MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-T | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-SL954 | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-SL954 | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-SL954 | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-SL954 | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-2.5-AD | IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHFHC-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-SL955 | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-2.5-SL383 | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-SL383 | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-SL955 | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-2.5-SL383 | IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-SL383 | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-SL955 | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-2.5-SL383 | IC FLASH 32MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-SL383 | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-SL955 | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHD2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHD-B | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHD-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ321-SHD2B-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHD-B | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHD-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SHET-T | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHFHK-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-T-AD | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHD2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
[Annahme durch die Kommission]
Beschreibung
Der AT45DB041E ist ein Flash-Speicher mit einem Sequenzzugang von mindestens 1,65 V mit serieller Schnittstelle, der sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen für digitale Sprache, Bild, Programmcode und Datenspeicherung eignet.Der AT45DB041E unterstützt auch die RapidS-Serienschnittstelle für Anwendungen, die einen sehr hohen Geschwindigkeitsbetrieb erfordernEs sind vier.194Der AT45DB041E enthält neben dem Hauptspeicher auch zwei SRAM-Puffer von je 256/264 Bytes.Die Puffer erlauben den Empfang von Daten, während eine Seite im Hauptspeicher neu programmiert wird.Durch die Verknüpfung beider Puffer kann die Fähigkeit des Systems, einen kontinuierlichen Datenstrom zu schreiben, erheblich gesteigert werden.und E2PROM-Emulation (Bit- oder Byte-Veränderbarkeit) kann leicht mit einer in sich geschlossenen dreistufigen Lese-Änderungs-Schreiboperation verarbeitet werden.
Eigenschaften
● Einzelne 1,65 - 3,6 V-Versorgung● Kompatibel mit der seriellen Peripherieoberfläche (SPI)
● Unterstützt SPI-Modi 0 und 3
● Unterstützt den Betrieb von RapidSTM
● Kontinuierliche Ablesbarkeit durch das gesamte Array
● Bis zu 85 MHz
● Niedrigleistungslesemöglichkeit bis 15 MHz
● Zeit von 6 ns bis zu einem Ausgang (tV)
● Benutzerkonfigurierbare Seitengröße
● 256 Bytes pro Seite
● 264 Bytes pro Seite (Standard)
● Seitengröße kann für 256 Bytes vorkonfiguriert werden
● Zwei vollständig unabhängige SRAM-Datenpuffer (256/264 Bytes)
● Ermöglicht den Empfang von Daten während der Umprogrammierung des Hauptspeicherarrays
● Flexible Programmiermöglichkeiten
● Byte-/Seitenprogramm (1 bis 256/264 Bytes) direkt in den Hauptspeicher
● Buffer schreiben
● Buffer zum Hauptspeicher-Seitenprogramm
● Flexible Löschmöglichkeiten
● Seite löschen (256/264 Bytes)
● Löschen von Blöcken (2KB)
● Sektorlöschen (64KB)
● Chiplöschung (4-Mbits)
● Programmieren und Löschen Aufhalten/Wieder aufnehmen
● Erweiterte Hardware- und Software-Datenschutzfunktionen
● Schutz des einzelnen Sektors
● Einzelne Sektoren sind gesperrt, sodass jeder Sektor dauerhaft nur für Lesen verfügbar ist.
● 128-Byte, einmalig programmierbares Sicherheitsregister (OTP)
● 64 Bytes, die mit einer eindeutigen Kennung verarbeitet wurden
● 64 Bytes benutzerprogrammierbar
● Hardware- und softwaregesteuerte Wiedereinstellungsmöglichkeiten
● JEDEC-Standard Hersteller und Geräte-ID gelesen
● Niedrige Energieabgabe
● 400nA Ultra-Deep Power-Down-Strom (typisch)
● 3 μA Tiefe Leistung (typisch)
● 25 μA Standby-Strom (typisch)
● Aktiver Lesestrom von 7 mA (typisch @ 15 MHz)
● Langlebigkeit: Mindestens 100.000 Programme/ Löschzyklen pro Seite
● Datenspeicherung: 20 Jahre
● Kompatibel mit dem gesamten industriellen Temperaturbereich
● Grüne Verpackungsmöglichkeiten (Pb/halogenfreie/RoHS-konforme)
● 8-Lead-SOIC (0,150" breit und 0,208" breit)
● 8-pad Ultra-dünne DFN (5 x 6 x 0,6 mm)
● 8-Ball-Wafer-Level-Chip-Skala-Paket
● Die in Waferform (1)
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Das ist ADESTO. |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | - |
Verpackung | Alternative Verpackungen |
Packungskoffer | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TC) |
Schnittstelle | SPI, RapidS |
Spannungsversorgung | 1.65 V ~ 3,6 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 8-SOIC |
Speicherkapazität | 4M (2048 Seiten x 264 Bytes) |
Speichertypen | DatenFLASH |
Geschwindigkeit | 85 MHz |
Format-Speicher | Flasch |
Funktionell kompatible Komponente
Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Bereitstellung von Dienstleistungen. Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,150 Inch, grün, aus Kunststoff, MS-012AA, SOIC-8 | Atmel Corporation | Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt. |
W25X40CLSNIG Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,150 Zoll, grün, plastisch, SOIC-8 | Winbond Electronics Corp. | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, ihre Stellungnahme zu dem Vorschlag zu unterbreiten. |
Die Angabe der Angabe der Angabe der Angabe der Angabe des Antrags ist in der Angabe des Antrags anzugeben. Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt. |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 515/2014 zu entnehmen. Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,150 Inch, grün, aus Kunststoff, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind für die Zwecke der Erfassung der Daten zu verwenden. |
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG erfasst. Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,150 Inch, grün, aus Kunststoff, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 zu entnehmen. Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,150 Inch, grün, aus Kunststoff, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 vorgesehenen Maßnahmen werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 festgelegt. |
Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. Gedächtnis |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,208 Zoll, grün, plastisch, EIAJ, SOIC-8 | Atmel Corporation | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
W25Q64FWSSIG Gedächtnis |
Flash, 64MX1, PDSO8, SOIC-8 | Winbond Electronics Corp. | Die Daten werden von den zuständigen Behörden der Mitgliedstaaten übermittelt. |
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. Gedächtnis |
4M X 1 FLASH 2,7 V PROM, PDSO8, 5 X 6 MM, ROHS-konform, MS-012AA, SOIC-8 | Microchip Technologie Inc. | Die Beurteilung der Ausfallrate ist in der Regel durch die Prüfung der Beurteilung der Ausfallrate zu erfolgen. |
Beschreibungen
Flash-Speicher IC 4 Mb (264 Bytes x 2048 Seiten) SPI 85 MHz 8-SOIC
NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4M-Bit 512K x 8 7ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Flash-Speicher 4M, 85MHz 1,65-3,6V Datenflash
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