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71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc.

  • 71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Renesas Electronics America Inc
Markenname Renesas Electronics America Inc
Modellnummer 71256SA25YG
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Asynchron Speicherkapazität 256Kbit
Speicherorganisation 32K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 25ns
Zugriffzeit 25 ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 28-SOJ
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Part Number Description
71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71256L20YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71256SA12YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71256L25YGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71256L35YGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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71V256SA12YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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7164L25YG8 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
7164L25YGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
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IDT7164L25YI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164L25YI8 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164L35Y IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164L35YG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164L35YG8 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
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7164S25YG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
7164S25YG8 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
7164S25YGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
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IDT7164S35YG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164S35YG8 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164S35YGI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT7164S35YGI8 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
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71V256S10YG8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71V256S12YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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71V256SA12YG8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71V256SA12YGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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IDT71V256SA12YI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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71V256SA15YGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71V256SA15YGI8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT71V256SA15YI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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IDT71V256SA20YGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT71V256SA20YGI8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT71V256SA20YI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
IDT71V256SA20YI8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
71256SA15YG8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Der IDT71256SA ist ein 262.144-Bit-Hochgeschwindigkeits-statischer RAM, der als 32K x 8 organisiert ist.in Kombination mit
Innovative Schaltkreisentwicklungstechniken bieten eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicherbedürfnisse.

Eigenschaften

◆ 32K x 8 hochgeschwindiges statisches CMOS-RAM
◆ Handels- (0° bis 70°C) und Industrie- (-40° bis 85°C) Temperaturoptionen
◆ Gleicher Zugang und gleiche Fahrradzeiten
Handels- und Industrie: 12/15/20/25
◆ Ein Chip Select plus ein Output Enable Pin
◆ Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge, die direkt mit TTL kompatibel sind
◆ Niedriger Stromverbrauch durch Chip-Auswählung
◆ Das kommerzielle Produkt ist in 28-Pin-Plastik-DIP, 300-mil-Plastik-SOJ und TSOP-Paketen erhältlich.
◆ Industrieprodukt in 28-Pin-Packungen mit 300 ml Kunststoff-SOJ und TSOP

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Integrierte Schaltkreissysteme
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe 71256SA
Typ Asynchron
Verpackung Rohrverpackung
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 28-BSOJ (0,300", Breite 7,62 mm)
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 28-SOJ
Speicherkapazität 256K (32K x 8)
Speichertypen SRAM - Asynchron
Geschwindigkeit 25 ns
Zugriffszeit 25 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 32 k x 8
Versorgungsstrom maximal 145 mA
Teil-#-Alias 71256SA IDT71256SA25YG
Versorgungsspannung 5.5 V
Versorgungsspannung-Min 4.5 V
Packungskoffer SOJ-28
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
QS83280-25V
Gedächtnis		 Cache Tag SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, Qualität Halbleiter Inc. 71256SA25YG gegen QS83280-25V
71256TTSA25YG
Gedächtnis		 Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, ROHS-konform, aus Kunststoff, SOJ-28 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71256SA25YG gegen 71256TTSA25YG
71256SA25YG8
Gedächtnis		 SOJ-28, Spirale Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71256SA25YG gegen 71256SA25YG8
71256SA25Y
Gedächtnis		 Standard-SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, für die Berechnung der Leistung von Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71256SA25YG gegen 71256SA25Y

Beschreibungen

SRAM - Asynchrone Speicher IC 256Kb (32K x 8) Parallel 25ns 28-SOJ
SRAM 32Kx8 ASYNCHRONE 5,0V statische RAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC