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71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Renesas Electronics America Inc
| Markenname | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Modellnummer | 71V416S15YG8 |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 4Mbit |
| Speicherorganisation | 256K x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 15 ns | Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 44-SOJ |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V416S15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71016S20YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA15YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V016SA15YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA15YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20Y | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20Y8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA20YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V016SA20YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416L10Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416L10YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71V416L12YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L12YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L12YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416L12YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71V416L15YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416L15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71V416S10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71V416S12YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416S12YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416S15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S15YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S15YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416S15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416S20PH | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416VL15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416VS15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416VS15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416VS15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416VS15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416YS15Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die IDT71V416 ist eine 4,194Es wird mit hochleistungsfähiger, zuverlässiger CMOS-Technologie hergestellt.kombiniert mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, bietet eine kostengünstige Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicheranforderungen.Der IDT71V416 verfügt über einen Ausgangs-Aktivierungspin, der bis zu 5 ns und eine Adresszugriffszeit von bis zu 10 ns funktioniert.Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des IDT71V416 sind LVTTL-kompatibel und werden von einem einzigen 3.3V-Versorgung. Es wird eine vollständig statische asynchrone Schaltung verwendet, für die keine Uhren oder Aktualisierungen erforderlich sind.
Eigenschaften
◆ 256K x 16 hochgeschwindiges CMOS-statisches RAM◆ JEDEC Center Power / GND-Pinout für geringe Geräusche.
◆ Gleicher Zugang und gleiche Fahrradzeiten
Handels- und Industriezweige: 10/12/15
◆ Ein Chip Select plus ein Output Enable Pin
◆ Bidirektionale Dateneingänge und -ausgänge direkt LVTTL-kompatibel
◆ Niedriger Stromverbrauch durch Chip-Auswählung
◆ Pins, die das Auf- und Absteigen von Byte ermöglichen
◆ Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung
◆ Erhältlich in einem 44-Spitzen, 400 Millimeter langen Plastik-SOJ-Paket und einem 44-Spitzen, 400 Millimeter langen TSOP-Type II-Paket sowie einem 48-Kugel-Gitter-Array, 9 mm x 9 mm-Paket.
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | 71V416S15 |
| Typ | Asynchron |
| Verpackung | Alternative Verpackungen |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 44-SOJ |
| Speicherkapazität | 4M (256K x 16) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | 15 ns |
| Zugriffszeit | 15 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
| Betriebstemperaturbereich | 0 C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 256 k x 16 |
| Versorgungsstrom maximal | 170 mA |
| Teil-#-Alias | 71V416 IDT71V416S15YG8 |
| Versorgungsspannung | 3.6 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3 V |
| Packungskoffer | SOJ-44 |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| 71V416S15YG Gedächtnis |
SOJ-44, Schlauch | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S15YG8 gegen 71V416S15YG |
| 71V416S15YGI8 Gedächtnis |
SOJ-44, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S15YG8 gegen 71V416S15YGI8 |
| CY7C1041BNV33-15VXI Gedächtnis |
256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0,400 Inch, ohne Blei, SOJ-44 | Rochester Electronics LLC | 71V416S15YG8 gegen CY7C1041BNV33-15VXI |
| CY7C1041CV33-15VXC Gedächtnis |
256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0,400 Inch, ohne Blei, SOJ-44 | Rochester Electronics LLC | Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm verpackt. |
| 71V416S15YGI Gedächtnis |
SOJ-44, Schlauch | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S15YG8 gegen 71V416S15YGI |
| AS7C34098A-15JI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, SOJ-44 | Alliance Memory Inc. | 71V416S15YG8 gegen AS7C34098A-15JI |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, ohne Blei, SOJ-44 | Alliance Memory Inc. | Die Ausrüstung ist mit einer Leistung von mehr als 100 kW ausgestattet. |
| AS7C34098A-15JCN Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, ohne Blei, SOJ-44 | Alliance Memory Inc. | Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm und einer Breite von mehr als 20 mm. |
| IDT71V416S15YGI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S15YG8 gegen IDT71V416S15YGI |
| IDT71V416S15YG Gedächtnis |
Standard-SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V416S15YG8 gegen IDT71V416S15YG |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mb (256K x 16) Parallel 15ns 44-SOJ
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOS 3.3V CMOS SRAM mit einer Leistung von
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