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Die Kommission hat eine Reihe von Maßnahmen ergriffen, um die Anwendung der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 zu verhindern.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
AT24C64D-MAHM-T IC EEPROM 64KBIT I2C 8MINI MAP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
MTFC64GJVDN-3M WT TR IC FLASH 512GBIT MMC 169LFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1,2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR4 |
IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | D-RAM |
MX29LV800CTXEI-70G IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48LFBGA Macronix
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | FRAM |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |