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IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

  • IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS49RL18320-093BL
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie D-RAM Speicherkapazität 576 Mbit
Speicherorganisation 32 M x 18 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 10,066 GHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 10 ns Spannung - Versorgung 1.28V ~ 1.42V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 168-LBGA Lieferanten-Gerätepaket 168-FBGA (13.5 x 13.5)
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Part Number Description
IS49RL36160A-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093FBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-093FBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160A-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320A-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320A-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320A-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320A-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA
IS49RL18320-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-093BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL18320-125EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125BL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125BLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
IS49RL36160-125EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

■ Merkmale

1Ein eingebautes Schmidt-Trigger-Schaltkreis.
2. Hohe Empfindlichkeit ((E V: MAX. 35rx bei Ta= 25 ̊C)
3. Ein breites Spektrum an Betriebsspannung
(VCC: 4,5 bis 17 V)
4. LSTTL- und TTL-kompatible Ausgabe
5. Niedrige Leistungsstärke bei Einfalllicht (IS485)
Hochleistungsleistung bei Einfalllicht (IS486)
6. Kompaktes Paket

■ Anwendungen

1. Floppy-Disk-Laufwerke
2Kopierer, Drucker und Faxgeräte
3. Videorekorder, Kassettendecks
4Automaten für den Verkauf von Waren

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 168-LBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Gemeinsame Ein- und Ausgänge
Spannungsversorgung 1.28 V ~ 1.42 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 168-FC(LF) BGA (13.5x13.5)
Speicherkapazität 576M (32M x 18)
Speichertypen RLDRAM 3
Geschwindigkeit 0.93ns
Format-Speicher Speicherplatz
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
IS49RL18320-125EBL
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, LEAD-FREE, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. Die Ergebnisse der Prüfung werden im Folgenden dargestellt.
IS49RL18320-093EBL
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, LEAD-frei, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 der Verordnung (EG) Nr. 1225/2009 festgelegten Bedingungen für die Gewährung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen für die Bereitstellung von Zuschüssen.
IS49RL18320-125BL
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 12ns, CMOS, PBGA168, LEAD-frei, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. IS49RL18320-093BL gegenüber IS49RL18320-125BL
IS49RL18320-107EBL
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, LEAD-frei, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. IS49RL18320-093BL gegen IS49RL18320-107EBL
IS49RL18320-107BLI
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, LEAD-FREE, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. IS49RL18320-093BL gegen IS49RL18320-107BLI
IS49RL18320-093EBLI
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, LEAD-frei, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen.
IS49RL18320-107BL
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, LEAD-FREE, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. IS49RL18320-093BL gegen IS49RL18320-107BL
IS49RL18320-125EBLI
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, LEAD-FREE, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. IS49RL18320-093BL gegen IS49RL18320-125EBLI
IS49RL18320-107EBLI
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 8ns, CMOS, PBGA168, LEAD-frei, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. IS49RL18320-093BL gegen IS49RL18320-107EBLI
IS49RL18320-093BLI
Gedächtnis		 DDR-DRAM, 32MX18, 10ns, CMOS, PBGA168, LEAD-FREE, FBGA-168 Integrierte Siliziumlösungen Inc. Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, im Rahmen der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 eine Reihe von Maßnahmen zu ergreifen, um die Auswirkungen dieser Verordnung auf die Umwelt zu kontrollieren.

Beschreibungen

DRAM-Speicher IC 576Mb (32M x 18) Parallel 1.066GHz 10ns 168-FC ((LF) BGA (13.5x13.5)
DRAM-Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FBGA
DRAM RLDRAM3 Speicher, 576M gemeinsame E/A, 1066Mhz
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC