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71V124SA10PHG8 IC SRAM 1MBIT PARALLEEL 32TSOP II Renesas Electronics America Inc.
| Markenname | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Modellnummer | 71V124SA10PHG8 |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 1 Mbit |
| Speicherorganisation | 128K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffzeit | 10 ns | Spannung - Versorgung | 3,15 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 32 SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 32-TSOP II |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V124SA10PHG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA12PHG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124HSA10PH | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124HSA10PH8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124HSA12PH | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124HSA12PH8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA10PH | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA10PH8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA10PHG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA10PHGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA10PHGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA12PH | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA12PH8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA12PHG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA12PHGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA12PHGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA12PHI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA12PHI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA15PH | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA15PH8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA15PHG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA15PHG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA15PHGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| 71V124SA15PHGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA15PHI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA15PHI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PH | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PH8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PHG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PHG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PHGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PHGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PHI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
| IDT71V124SA20PHI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die IDT71V124 ist eine 1,048Es wird mit der hochleistungsfähigen, zuverlässigen CMOS-Technologie von IDT® hergestellt.kombiniert mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, bietet eine kostengünstige Lösung fürDer JEDEC-Zentrumstrom/GND-Pinout reduziert die Geräuschbildung und verbessert die Leistung des Systems.
Der IDT71V124 verfügt über einen Ausgangs-Aktivierungspin, der so schnell wie 5ns arbeitet, mit Adresszugriffszeiten von bis zu 9ns.Alle bidirektionalen Eingänge und Ausgänge des IDT71V124 sind LVTTL-kompatibel und werden von einem einzigen 3.3V-Versorgung. Es wird eine vollständig statische asynchrone Schaltung verwendet; keine Uhren oder Erneuerungen sind für den Betrieb erforderlich.
Eigenschaften
◆ 128K x 8 hochgeschwindiges CMOS-statisches RAM◆JEDEC revolutionärer Pinout (Zentrum Leistung/GND) für geringe Lärmbelastung
◆Gleicher Zugang und gleicher Fahrtzeit
Werbung: 10/12/15/20ns
Industrie: 10/12/15/20n
◆Ein Chip Select plus ein Output Enable Pin
◆Eingänge und Ausgänge sind LVTTL-kompatibel
◆Einzel 3,3-Volt-Versorgung
◆Niedriger Stromverbrauch durch Chip-Auswählung
◆Verfügbar in einem 32-Pin-Plastik-SOJ mit 300 und 400 Millimetern und in einem 32-Pin-TSOP-Paket des Typs II.
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | 71V124 |
| Typ | Asynchron |
| Verpackung | Alternative Verpackungen |
| Einheitsgewicht | 0.027023 Unzen |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 32 SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3.15 V ~ 3.6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 32-TSOP II |
| Speicherkapazität | 1M (128K x 8) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | 10n |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
| Betriebstemperaturbereich | 0 C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 128 k x 8 |
| Versorgungsstrom maximal | 145 mA |
| Teil-#-Alias | 71V124 IDT71V124SA10PHG8 |
| Versorgungsspannung | 3.6 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3.15 V |
| Packungskoffer | Der Ausdruck "SOIC-32" |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| IS63LV1024L-10T Gedächtnis |
Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt, wenn die Daten in der Tabelle 1 enthalten sind. | ABLIC Inc. | 71V124SA10PHG8 gegen IS63LV1024L-10T |
| IDT71V124SA10PHG Gedächtnis |
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, ROHS-konform, TSOP2-32 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V124SA10PHG8 gegen IDT71V124SA10PHG |
| IDT71V124SA10PHI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V124SA10PHG8 gegen IDT71V124SA10PHI |
| 71V124SA10PHGI Gedächtnis |
TSOP-32, Schlauch | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | Der Wert der Verbrennungsmenge wird in der Tabelle 1 angegeben. |
| 71V124SA10PHG Gedächtnis |
TSOP-32, Schlauch | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen, wenn die Verbrennungsmenge nicht überschritten ist. |
| IDT71V124SA10PHG8 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V124SA10PHG8 gegen IDT71V124SA10PHG8 |
| CY7C1019CV33-10ZXA Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, LEAD-frei, TSOP2-32 | Zypress Halbleiter | Die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen an die Ausrüstung zu erfüllen, und die Ausrüstung ist in der Lage, die Anforderungen an die Ausrüstung zu erfüllen. |
| CY7C1019CV33-10ZXC Gedächtnis |
128KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO32, bleifrei, TSOP2-32 | Rochester Electronics LLC | Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm verpackt. |
| IS63LV1024L-10TL Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, ohne Blei, aus Kunststoff, TSOP2-32 | Integrierte Siliziumlösungen Inc. | 71V124SA10PHG8 gegen IS63LV1024L-10TL |
| IS63LV1024L-10TLI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, ohne Blei, aus Kunststoff, TSOP2-32 | Integrierte Siliziumlösungen Inc. | 71V124SA10PHG8 gegen IS63LV1024L-10TLI |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-TSOP II
SRAM 128Kx8 ASYNCHRONE 3,3-Volt-statische RAM
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