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S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR4 |
S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Mikrochiptechnologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMikroelektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EPROM |
| Technologie: | EPROM - UV |
70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse |
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | DRAM - EDO |
IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3L |
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Das ist ein sehr gutes Unternehmen.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND (SLC) |
CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP Cypress Halbleiter Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Doppelport, synchron |