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MTFC32GAPALNA-AAT IC FLASH 256GBIT MMC 100TBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
R1LV1616RSD-7SI#B0 IC SRAM 16MBIT PART 52TSOP II Renesas Electronics America Inc. ist eine US-amerikanische Firma, die sich mit der Produktion von Renesas Electronics America Inc. beschäftigt.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM |
M29F800FB5AN6E2 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Alliance Memory, Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
MR4A16BYS35 IC-RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | Speicherplatz |
| Technologie: | mit einer Breite von mehr als 20 mm, |
FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
MX29F400CTMI-90G IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SOP Macronix
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR2 |
CYD36S18V18-167BGXC IC SRAM 36MBIT PAR 484PBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Doppelport, synchron |
R1EX24002ASAS0I#S0 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |