71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Markenname Renesas Electronics America Inc
Modellnummer 71V25761S166PFG8
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Synchron, SDR Speicherkapazität 4.5Mbit
Speicherorganisation 128K x 36 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 3,5 ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 100-LQFP Lieferanten-Gerätepaket 100-TQFP (14x20)
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Part Number Description
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S166PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S166PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V25761S166PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S166PFI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V25761S166PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PF IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PFI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761S183PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761YS200PF IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V25761YS200PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3577YS85PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PFI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3577YS85PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3578YS133PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3578YS133PF8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3578YS133PFI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3578YS133PFI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
IDT71V3579S65PF IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V3579S65PF8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V632ZS5PF IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IDT71V632ZS5PF8 IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Der IDT71V256SA ist ein 262.144-Bit-Hochgeschwindigkeits-statischer RAM, der als 32K x 8 organisiert ist.

Eigenschaften

• Ideal für Hochleistungs-Prozessor-Sekundärcache
• Gewerbliche (0° bis 70°C) und industrielle (-40° bis 85°C)
Temperaturoptionen
• Schnelle Zugangszeiten:
Werbung: 10/12/15/20ns
Industrie: 15 Nm
• Niedriger Standby-Strom (maximal):
2mA im Vollstand
• Kleine Pakete für platzsparende Layouts:
¢ 28-Pin 300 ml SOJ
- 28 Pins 300 Mil Plastik-DIP (nur für den Handel)

• Hergestellt mit fortschrittlichem Hochleistungs-CMOS
Technologie
• Eingänge und Ausgänge sind LVTTL-kompatibel
• Einzelne 3,3V (±0,3V) Stromversorgung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Integrierte Schaltkreissysteme
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe 71V25761S166
Typ Synchron
Verpackung Verpackung mit Band und Rolle (TR)
Einheitsgewicht 0.023175 Unzen
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 100-LQFP
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheitliche Datenbank
Speicherkapazität 4.5M (128K x 36)
Speichertypen SRAM - synchron
Geschwindigkeit 166 MHz
Zugriffszeit 3.5 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 128 k x 36
Versorgungsstrom maximal 320 mA
Teil-#-Alias 71V25761 IDT71V25761S166PFG8
Versorgungsspannung 3.465 V
Versorgungsspannung-Min 3.135 V
Packungskoffer TQFP-100
Maximal-Uhr-Frequenz 166 MHz
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
IDT71V25761S166PFI8
Gedächtnis
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, PLASTIC, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V25761S166PFG8 gegen IDT71V25761S166PFI8
71V25761S166PFGI
Gedächtnis
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 1,40 MM Höhe, grün, plastisch, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V25761S166PFG8 gegen 71V25761S166PFGI
IDT71V25761S166PF
Gedächtnis
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V25761S166PFG8 gegen IDT71V25761S166PF
71V25761S166PFG
Gedächtnis
TQFP-100, Tabelle Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V25761S166PFG8 gegen 71V25761S166PFG
71V25761S166PF8
Gedächtnis
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, PLASTIC, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V25761S166PFG8 gegen 71V25761S166PF8
IDT71V25761S166PFI
Gedächtnis
Cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V25761S166PFG8 gegen IDT71V25761S166PFI

Beschreibungen

SRAM - Synchrone Speicher IC 4,5 Mb (128 K x 36) Parallel 166 MHz 3,5 ns 100-TQFP (14 x 20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3,3 V PIPELINED BURST SRAM