Alle Produkte
MR4A16BYS35 IC-RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 Everspin Technologies Inc.
| Markenname | Everspin Technologies Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | MR4A16BYS35 |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.
xProduktdetails
| Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | Speicherplatz |
|---|---|---|---|
| Technologie | mit einer Breite von mehr als 20 mm, | Speicherkapazität | 16Mbit |
| Speicherorganisation | 1M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 35ns |
| Zugriffzeit | 35 ns | Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 54-TSOP2 |
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| NDS66PT5-16IT TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS36PT5-20ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-16IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS76PT5-20IT TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| NDS36PT5-16ET TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| NDS66PT5-16ET TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| MR4A16BCYS35 | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AYS35 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16ACYS35R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR4A16BYS35R | IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45R | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR3A16AUYS45 | IC RAM 8MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AYS35 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16ACYS35R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45R | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 | |
| MR5A16AUYS45 | IC RAM 32MBIT PARALLEL 54TSOP2 |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
MR3 Reflektorlampenbaugruppen
MR4 Reflektorlampenbaugruppen
MR6 Reflektorlampenbaugruppen
Einstellbare Fokusreflektoranlagen
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | - Das ist nicht nötig. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | MR4A16B |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 54-TSOP2 |
| Speicherkapazität | 16M (1M x 16) |
| Speichertypen | mit einer Breite von mehr als 20 mm, |
| Geschwindigkeit | 35n |
| Zugriffszeit | 35 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
| Betriebstemperaturbereich | 0 C |
| Betriebsversorgungsstrom | 110 mA |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 1 M x 16 |
| Datenbusbreite | 16 Bit |
| Versorgungsspannung | 3.6 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3 V |
| Packungskoffer | TSOP-54 |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| MR4A16BYS35R Gedächtnis |
Speicherkreis, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 gegen MR4A16BYS35R |
| MR4A16BCYS35R Gedächtnis |
Speicherkreis, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 gegen MR4A16BCYS35R |
| MR4A16BMYS35R Gedächtnis |
Speicherschaltkreis, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS-konform, MS-024, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 gegen MR4A16BMYS35R |
| MR4A16BMYS35 Gedächtnis |
Speicherschaltkreis, 1MX16, CMOS, PDSO54, ROHS-konform, MS-024, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 gegen MR4A16BMYS35 |
| MR4A16BCYS35 Gedächtnis |
Speicherkreis, 1MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | Everspin Technologies | MR4A16BYS35 gegen MR4A16BCYS35 |
Beschreibungen
MRAM (Magnetoresistive RAM) Speicher IC 16Mb (1M x 16) Parallel 35ns 54-TSOP2
MRAM 16Mbit Parallel 3.3V 54-Pin TSOP-Tray
NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Empfohlene Produkte
