W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60WBGA Winbond Electronics

Generell beschrieben

Der W9725G8JB ist ein 256M-Bit DDR2 SDRAM, organisiert als 8,388,608 Wörter x 4 Banken x 8 Bits. Dieses Gerät erreicht hohe Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) für allgemeine Anwendungen. W9725G8JB ist in folgende Geschwindigkeitsstufen sortiert: -18, -25,25I und -3Die -18 entspricht der DDR2-1066 (7-7-7) Spezifikation.Die -25/25I entsprechen der Spezifikation DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) (die 25I-Industriequalität, die garantiert -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C unterstützt)Die -3 entspricht der Spezifikation DDR2-667 (5-5-5).

Eigenschaften

• Stromversorgung: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Architektur der Doppeldatenrate: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
• CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
• Länge des Ausbruchs: 4 und 8
• Mit Daten werden bidirektionale Differenzdatenstrobos (DQS und DQS) übertragen/empfangen
• Rand-Ausgerichtet mit Lesedaten und Mitte-Ausgerichtet mit Schreibdaten
• DLL stellt DQ und DQS-Übergänge mit der Uhr in Einklang
• Differentialschalteinträge (CLK und CLK)
• Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten.
• Befehle, die auf jeder positiven CLK-Kante, Datenmaske und Datenmaske eingegeben werden, werden auf beide DQS-Kanten verwiesen
• Unterstützung von geposteter CAS-programmierbarer additiver Latenz, um die Effizienz des Befehls- und Datenbusses zu erhöhen
• Leseverzögerung = Additive Verzögerung plus CAS-Verzögerung (RL = AL + CL)
• Off-Chip-Driver Impedanz Anpassung (OCD) und On-Die-Termination (ODT) für eine bessere Signalqualität
• Automatisches Vorladen für Lesen und Schreiben
• Automatisches und Selbst-Erneuerungsmodus
• Vorgeladener Ausfall und aktiver Ausfall
• Datenmaske schreiben
• Schreiben Sie Latenz = Lesen Sie Latenz - 1 (WL = RL - 1)
• Schnittstelle: SSTL_18
• Verpackt in WBGA 60 Kugel (8X12,5 mm2), mit bleifreien Materialien mit RoHS-konforme