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IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Markenname | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Modellnummer | IS61C1024AL-12JLI |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 1 Mbit |
| Speicherorganisation | 128K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffzeit | 12 ns | Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 32-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 32-SOJ |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61C1024AL-12JLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63WV1024BLL-12JLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS61C1024AL-12JLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63WV1024BLL-12JLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63WV1288DBLL-10JLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63WV1288DBLL-10JLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS61C1024AL-12KLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-12JL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS61C1024AL-12KI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS61C1024AL-12KI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS61C1024AL-12KLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-8KI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-8KI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-8KL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-8KL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-10J | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-10J-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-10KI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-10KI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-12J | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-12J-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-12KL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024-12KL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-10JLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-10JLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-10KLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-10KLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-12J | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-12J-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63LV1024L-12JL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS61C1024-15JI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63WV1288DBLL-10KLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| IS63WV1288DBLL-10KLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
ISSI IS61C1024AL/IS64C1024AL ist ein sehr schneller, leistungsarmer, 131.072-Wort-by-8-Bit CMOS-statischer RAM.Dieses sehr zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, erzeugt höhere Leistung und geringen Stromverbrauch.Wenn CE1 HIGH oder CE2 LOW ist (ausgelöscht), setzt das Gerät einen Standby-Modus ein, bei dem die Stromverschwendung durch Verwendung von CMOS-Eingangswerten reduziert werden kann.
Die einfache Erweiterung des Speichers erfolgt mit zwei Chip Enable-Eingängen, CE1 und CE2. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.
Der IS61C1024AL/IS64C1024AL ist in 32-Pin-SOJ mit 300 Millimetern, 32-Pin-SOJ mit 400 Millimetern, 32-Pin-TSOP (Typ I, 8x20) und 32-Pin-sTSOP (Typ I, 8 x 13.4) erhältlich.
Eigenschaften
• Hochgeschwindigkeitszugangszeit: 12, 15 ns• Niedrige Leistung: 160 mW (typisch)
• Niedrige Standby-Leistung: 1000 μW (typisch) CMOS-Standby
• Output Enable (OE) und zwei Chip Enable (CE1 und CE2) Eingänge für einfache Anwendungen
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung
• Verfügbare Temperaturbereiche für den Handel, die Industrie und die Automobilindustrie
• Bleifrei verfügbar
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | ISSI |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Packungskoffer | 32-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 32-SOJ |
| Speicherkapazität | 1M (128K x 8) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | 12 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Mfr | ISSI Integrated Silicon Solution Inc. |
| Paket | Tray |
| Produktstatus | Aktiv |
| Speichertypen | Flüchtig |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchron |
| Speichergröße | 1 MB (128K x 8) |
| Speicheroberfläche | Parallel |
| Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite | 12 ns |
| Zugriffszeit | 12 ns |
| Spannungsversorgung | 4,5 V bis 5,5 V |
| Montageart | Oberflächenbefestigung |
| Packungskoffer | 32-BSOJ (0,300" 7,62mm Breite) |
| Nummer des Basisprodukts | IS61C1024 |
Funktionell kompatible Komponente
Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| IS61C1024-12JI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, Kunststoff, SOJ-32 | Integrierte Siliziumlösungen Inc. | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 über die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der |
| CY7C1009B-12VC Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, SOJ-32 | Zypress Halbleiter | IS61C1024AL-12JLI gegenüber CY7C1009B-12VC |
| CY7C1009-12VC Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, SOJ-32 | Zypress Halbleiter | IS61C1024AL-12JLI gegenüber CY7C1009-12VC |
| IS61C1024-12J Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, Kunststoff, SOJ-32 | Integrierte Siliziumlösungen Inc. | Dies ist der Fall, wenn die in Absatz 1 genannten Bedingungen erfüllt sind. |
| CY7C1009BN-12VC Gedächtnis |
128KX8 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO32, 0,300 INCH, SOJ-32 | Rochester Electronics LLC | IS61C1024AL-12JLI gegen CY7C1009BN-12VC |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 Zoll, ohne Blei, aus Kunststoff, SOJ-32 | Alliance Memory Inc. | Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist. |
| IS61C1024AL-12JI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, Kunststoff, SOJ-32 | Integrierte Siliziumlösungen Inc. | Dies ist der Fall, wenn die in Absatz 1 genannten Anforderungen nicht erfüllt sind. |
| MT5F5F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1F1 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, Kunststoff, SOJ-32 | Micron Technologie Inc. | IS61C1024AL-12JLI gegen MT5C1008SJ-12LP |
Beschreibungen
SRAM Chip Async Einzel 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ
Empfohlene Produkte
