STAV58010P2 Galliumnitrid 50V, 10W, DC-6GHz HF-Leistungstransistor

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xOperating Voltage | 55 Vdc | Maximum forward gate current | 2 mA |
---|---|---|---|
Gate--Source Voltage | S -8 to +0.5 Vdc | Drain--Source Voltage | +200 Vdc |
Storage Temperature Range | -65 to +150 | Case Operating Temperature | +150 |
Operating Junction Temperature | +225 |
Gallium Nitride 50 V, 16 W, DC-6GHzRF Macht Transistoren
Beschreibung
Die STAV58016P2 ist Ein 16 Watt, nicht vergleichbar GaN HEMT, Idealfür allgemeine Anwendungenbis 6 GHz.
Es zeigthohe Verstärkung, breite Band und niedrig Kosten, in 4*4,5 mmDFNKunststoff Das Paket.
Das kann es. UnterstützungCW, Pulsoder alle Moduliert - Das ist ein Zeichen.
Da ist er. ist Nein Garantie von Leistung, wenn diese Teil ist verwendet Außen von angegeben Frequenzen.
- Typisch Klasse AB Einfach - Träger W-CDMA-Karakterisierung Leistung:
VDD = 50 Vdc,Ich...DQ = 20 mA, Eingabe Signal PAR = 10 dB @0.01% Wahrscheinlichkeit auf Das CCDF.
(Auf Einführung Antragsbrett mit Gerät gelötet)
Frequenz | Schnüren | CCDF | Spitze | Spitze | ACRP | Gewinn | - Was ist los? |
---|---|---|---|---|---|---|---|
3300 | 33.00 | 9.12 | 42.12 | 16.3 | - 35 Prozent.9 | 16.8 | 27.8 |
3400 | 32.99 | 9.04 | 42.03 | 16.0 | - 36 Jahre.3 | 17.1 | 27.8 |
3500 | 33.00 | 8.92 | 41.92 | 15.6 | - 37 Jahre.1 | 17.4 | 28.7 |
3600 | 32.97 | 8.90 | 41.88 | 15.4 | - Ich bin 38.1 | 17.5 | 27.4 |
3700 | 33.00 | 8.97 | 41.97 | 15.7 | - Ich bin 39.4 | 17.4 | 27.4 |
3800 | 33.01 | 8.90 | 41.91 | 15.5 | - Vierzig.7 | 16.6 | 25.7 |
Anwendungen
- 5G, 4G drahtlose Infrastruktur
- Breitbandverbindung oder Schmalband Leistung Verstärker
- Prüfung Instrumente
- Zivilrecht Puls Radar
- - Das ist ein Jammer.