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M29W160EB70N6E IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Micron Technology Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | BLITZ |
---|---|---|---|
Technologie | BLITZ - NOCH | Speicherkapazität | 16Mbit |
Speicherorganisation | 2M x 8, 1M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 70ns |
Zugriffzeit | 70 ns | Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 48-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 48-TSOP |
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Part Number | Description | |
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M29W160EB70N6E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W320EB70N6E | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W640FB70N6E | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W800DB70N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
M29W160ET70N6E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W320DT70N6E | IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W400DB70N6E | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
M29W800DT70N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
NAND128W3A0BN6F TR | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W160FB70N3E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W640GB90NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W640GH70NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W640GT70NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W640GH70NA6F TR | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
NAND512W3A2CN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W320DT70N3F TR | IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W400FB55N3F TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
M29W160ET70N3E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
NAND512W3A2SN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29F200FT5AN6F2 TR | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Zusammenfassung
Der M29W160E ist ein 16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16) nichtflüchtiger Speicher, der gelesen, gelöscht und neu programmiert werden kann.Beim Einschalten wird der Speicher standardmäßig in den Lesemodus eingestellt, wo er wie ein ROM oder EPROM gelesen werden kann.
Zusammenfassung der Merkmale
■ VersorgungsspannungVCC = 2,7 V bis 3,6 V für Programm, Löschen und Lesen
■ Zugangszeiten: 70, 90 Sekunden
■ Zeit für die Programmierung
10 μs pro Byte/Wort typisch
■ 35 Gedächtnisblöcke
1 Bootblock (Ober- oder Unterposition)
2 Parameter und 32 Hauptblöcke
■ Programm-/ Löschkontrollen
Einbettete Byte-/Word-Algorithmen
■ Löschen, suspendieren und wieder aufnehmen
️ Lesen und Programmieren eines anderen Blocks während der Löschung
■ UNLOCK BYPASS Programmbefehl
Schnellere Produktion/Serienprogrammierung
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE (Zwischenzeitlicher Block ohne Schutz)
■ Gemeinsame FlashSchnittstelle
¢ 64-Bit Sicherheitscode
■ KLEINER Stromverbrauch
Standby und automatischer Standby
■ 100 000 Programm-/ Löschzyklen pro BLOCK
■ elektronische Signatur
Herstellercode: 0020h
¢ Top-Gerätecode M29W160ET: 22C4h
¢ Bodenvorrichtungskode M29W160EB: 2249h
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Micron Technologie Inc. |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | - |
Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
Packungskoffer | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 48-TSOP |
Speicherkapazität | 16M (2M x 8, 1M x 16) |
Speichertypen | FLASH - NICHT |
Geschwindigkeit | 70 ns |
Format-Speicher | Flasch |
Mfr | Micron Technologie Inc. |
Paket | Tray |
Produktstatus | Veraltet |
Speichertypen | Nicht flüchtig |
Speicherformat | Flasch |
Technologie | FLASH - NICHT |
Speichergröße | 16 MB (2M x 8 1M x 16) |
Speicheroberfläche | Parallel |
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite | 70 ns |
Zugriffszeit | 70 ns |
Spannungsversorgung | 2,7 V bis 3,6 V |
Montageart | Oberflächenbefestigung |
Packungskoffer | 48-TFSOP (0,724" 18,40mm Breite) |
Nummer des Basisprodukts | M29W160 |
Beschreibungen
FLASH - NOR Speicher IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 70ns 48-TSOP
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8/1M x 16 70ns 48-Pin TSOP-Tray
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