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IS61WV5128BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Markenname | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Modellnummer | IS61WV5128BLL-10BLI |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 4Mbit |
| Speicherorganisation | 512K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffzeit | 10 ns | Spannung - Versorgung | 2.4V | 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 36-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 36-TFBGA (6x8) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61WV5128BLL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS61LV5128AL-10BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV2568BLL-70BI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128BLL-55BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS63LV1024L-12BI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS63LV1024L-12BLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA | |
| IS62WV5128DBLL-45BI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die ISSIIS61WV102416ALL/BLL und IS64WV102416BLL sind 16M-Bit-statische RAMs mit hoher Geschwindigkeit, die als 1024K-Worte mit 16 Bit organisiert sind.Dieses sehr zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, erzeugt leistungsstarke Geräte mit geringem Stromverbrauch.
Eigenschaften
• Hochgeschwindigkeitszugangszeiten: 8, 10, 20 ns• Hochleistungs- und energieeffizientes CMOS-Verfahren
• Mehrfache Zentralstromversorgung und Erdungspins für eine größere Geräuschsicherheit
• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
• CE-Abschaltung
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Einheitliche Stromversorgung
VDD 1,65 V bis 2,2 V (IS61WV102416ALL)
Drehzahl = 20 ns für VDD 1,65 V bis 2,2 V
VDD 2,4 V bis 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)
Drehzahl = 10 ns für VDD 2,4 V bis 3,6 V
Drehzahl = 8 ns für VDD 3,3 V + 5%
• Verfügbare Pakete:
- 48-Ball-MiniBGA (9mm x 11mm)
️ 48-Pin-TSOP (Typ I)
• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil
• Bleifrei erhältlich
• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | ISSI |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | IS61WV5128BLL |
| Typ | Asynchron |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Einheitsgewicht | 0.008042 Unzen |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 36-MBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.4 V ~ 3.6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte |
| Speicherkapazität | 4M (512K x 8) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | 10n |
| Datenquote | SZR |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 85 °C |
| Betriebstemperaturbereich | - 40 °C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 512 k x 8 |
| Versorgungsstrom maximal | 45 mA |
| Versorgungsspannung | 3.6 V |
| Versorgungsspannung-Min | 2.4 V |
| Packungskoffer | BGA-36 |
Funktionell kompatible Komponente
Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| IS61WV5128BLL-10BI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36 | Integrierte Siliziumlösungen Inc. | IS61WV5128BLL-10BLI gegen IS61WV5128BLL-10BI |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns 36-miniBGA (8x10)
SRAM Chip Async Single 2,5 V/3,3 V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA
SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
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