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AS4C16M32MD1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Allianz Speicher, Inc.
| Markenname | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | AS4C16M32MD1-5BCN |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - Bewegliches LPDDR | Speicherkapazität | 512Mbit |
| Speicherorganisation | 16M x 32 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 5 ns | Spannung - Versorgung | 1.7V | 1.95V |
| Betriebstemperatur | -25°C | 85°C (TJ) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 90-VFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 90 FBGA (8x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M32MD1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C4M32MSA-6BIN | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MD1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MSA-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C8M32MSA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BINTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C64M32MD1-5BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C32M32MD1-5BINTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-6BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA | |
| AS4C16M32MS-7BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Eigenschaften
• Organisation: 1,048,576 Wörter × 4 Bits• Hochgeschwindigkeit
- 40/50/60/70 ns RAS-Zugangszeit
- 20/25/30/35 ns Spaltenadresszugangszeit
- 10/13/15/18 ns CAS-Zugangszeit
• Niedriger Stromverbrauch
- Aktive Leistung: maximal 385 mW (-60)
- Standby: maximal 5,5 mW, CMOS E/A
• Schnellseitenmodus (AS4C14400) oder EDO (AS4C14405)
• 1024 Aktualisierungszyklen, 16 ms Aktualisierungsintervall
- Nur RAS- oder CAS-vor-RAS-Aktualisierung
• Lesen-Ändern-Schreiben
• TTL-kompatible, dreistufige E/A
• JEDEC-Standardpakete
- 300 ml, 20/26-Pin-SOJ
- 300 ml, 20/26-Pin-TSOP
• Einfache 5V-Stromversorgung
• ESD-Schutz ≥ 2001V
• Anschlussstrom ≥ 200 mA
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Packungskoffer | 90 VFBGA |
| Betriebstemperatur | -25 °C bis 85 °C (TJ) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,95 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 90 FBGA (8x13) |
| Speicherkapazität | 512M (16M x 32) |
| Speichertypen | Mobile DDR-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 200 MHz |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobilfunk-DDR
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