CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA Infineon Technologies

Markenname Infineon Technologies
Modellnummer CY7C4021KV13-600FCXC
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Synchron, QDR IV Speicherkapazität 72 Mbit
Speicherorganisation 4M x 18 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 600 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 1.1V ~ 1.3V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 361-BBGA, FCBGA Lieferanten-Gerätepaket Die Ausrüstung ist mit einer Breite von
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Part Number Description
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4041KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4121KV13-667FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4141KV13-667FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4121KV13-633FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4141KV13-633FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4022KV13-933FCXI IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4022KV13-106FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4042KV13-106FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-933FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-933FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4042KV13-933FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-106FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-933FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4021KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4041KV13-600FCXC IC SRAM 72MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4121KV13-600FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4042KV13-933FCXC CY7C4042KV13-933FCXC - 72-MBIT
CY7C4122KV13-933FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-106FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4142KV13-933FCXI IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-106FCXC IC SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
CY7C4122KV13-933FCXC CY7C4122KV13-933FCXC
CY7C4121KV13-600FCXC CY7C4121KV13-600FCXC
CY7C4142KV13-933FCXC CY7C4142KV13-933FCXC
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Funktionsbeschreibung

Die CY7C401 und CY7C403 sind asynchrone First-in First-out (FIFOs), die in 64 vier-Bit-Wörtern organisiert sind.Sowohl der CY7C403 als auch der CY7C404 verfügen über eine Ausgangsfunktion (OE).

Eigenschaften

• 64 x 4 (CY7C401 und CY7C403) 64 x 5 (CY7C402 und CY7C404) Hochgeschwindigkeits-Erst-in-Erst-out-Speicher (FIFO)
• Verarbeitung mit Hochgeschwindigkeits-CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
• Datenraten von 25 MHz
• 50-ns-Blasendurchlässigkeitszeit 25 MHz
• Erweiterbar in Wortbreite und/oder -länge
• 5-Volt-Stromversorgung ± 10% Toleranz, sowohl kommerziell als auch militärisch
• Unabhängige asynchrone Eingänge und Ausgänge
• TTL-kompatible Schnittstelle
• Ausgangsfunktionen für CY7C403 und CY7C404 verfügbar
• mit einer elektrostatischen Entladung von mehr als 2001 V
• Mit MMI 67401A/67402A kompatibel

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Zypress Halbleiter
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 361-BBGA, FCBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.1 V ~ 1,3 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Die Ausrüstung ist mit einer Breite von
Speicherkapazität 72 M (4 M x 18)
Speichertypen SRAM - Synchron, QDR IV
Geschwindigkeit 600 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SRAM - Synchrones, QDR IV-Speicher IC 72Mb (4M x 18) Parallel 600MHz 361-FCBGA (21x21)
SRAM Chip Sync Single 1.3V 72M-Bit 4M x 18 361-Pin FCBGA-Tray
SRAM-Synchronisierung von SRAMs