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W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II Winbond Electronics
| Markenname | Winbond Electronics |
|---|---|
| Modellnummer | W9812G6KH-6 |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM | Speicherkapazität | 128Mbit |
| Speicherorganisation | 8M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | 5 ns | Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 54-TSOP (0,400", 10.16mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 54-TSOP II |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9812G6KH-6 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-5 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-5 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-6 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6I TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-6I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-6I | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6I | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6IH-6 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6IH-6 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6EH-6 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6JH-6I | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6JH-6I | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6JH-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MD56V62160M-7TAZ0AX | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6JH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6JH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6JH-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6JH-6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
W9812G6KH ist ein hochgeschwindiges synchrones dynamisches Zufallsspeicher (SDRAM), das in Form von 2M Wörtern x 4 Banken x 16 Bits organisiert ist.Vollständig mit dem Industriestandard für Personalcomputer übereinstimmen, W9812G6KH ist in folgende Geschwindigkeitsstufen eingeteilt: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J und -75.
Eigenschaften
3.3V ± 0,3V Stromversorgung
bis zu 200 MHz Uhrfrequenz
2,097,152 Wörter 4 Banken 16 Bits Organisation
Selbst-Erneuerungsmodus
CAS-Latenz: 2 und 3
Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
Burst-Lese, Einzel-Schreibmodus
Byte-Daten, die von LDQM, UDQM gesteuert werden
Ausgeschaltet
Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
4K-Erneuerungszyklen/64 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
4K-Erneuerungszyklen/16 mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
Schnittstelle: LVTTL
Verpackt in TSOP II 54-Pin, 400 ml mit bleifreien Materialien mit RoHS-Konformität
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Winbond Elektronik |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Rohrverpackung |
| Packungskoffer | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 54-TSOP II |
| Speicherkapazität | 128 M (8 M x 16) |
| Speichertypen | SDRAM |
| Geschwindigkeit | 166 MHz |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM-Speicher IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
DRAM-Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II
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