DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Beschreibung

Die DS1220AB und DS1220AD 16k Nonvolatile SRAMs sind 16,384-Bit, vollständig statische, nichtflüchtige SRAMs, die als 2048 Wörter mit 8 Bit organisiert sind.Jeder NV-SRAM verfügt über eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerungsschaltung, die VCC ständig auf einen außerhalb der zulässigen Bedingungen überwacht.. Wenn ein solcher Zustand auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz ist bedingungslos aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern.Die NV-SRAMs können anstelle der bestehenden 2k x 8 SRAMs verwendet werden, die direkt dem beliebten 24-Pin-DIP-Standard entsprechenDie Geräte entsprechen auch dem Pinout des 2716 EPROM und des 2816 EEPROM und ermöglichen eine direkte Substitution bei gleichzeitiger Verbesserung der Leistung.Es gibt keine Begrenzung für die Anzahl der Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und keine zusätzliche Unterstützungsschaltung ist für die Mikroprozessor-Schnittstelle erforderlich.

Eigenschaften

■ 10 Jahre Mindestdatenspeicherung bei Abwesenheit einer externen Stromversorgung
■ Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
■ Ersetzt direkt 2k x 8 flüchtige statische RAM oder EEPROM
■ Unbegrenzte Schreibzyklen
■ CMOS mit geringer Leistung
■ JEDEC-Standard 24-Pin-DIP-Paket
■ Lese- und Schreibzugangszeiten von 100 ns
■ Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische zu bewahren, bis zum ersten Stromansatz
■ Voller ±10% VCC-Betriebsbereich (DS1220AD)
■ Optional ±5% VCC-Betriebsbereich (DS1220AB)
■ Optionale industrielle Temperaturbereiche von -40°C bis +85°C, bezeichnet als IND