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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | USE Gefahrenabweichung |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR2 | Speicherkapazität | 256Mbit |
| Speicherorganisation | 16M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 267 MHZ | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 500 ps | Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C | 85°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 84-FBGA | Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H16M16BG-37E:B TR | IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-37V:B | IC DRAM 256MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3 IT:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3 IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
DDR2-SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 BankenMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 Banken
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 Banken
Eigenschaften
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• JEDEC-Standard 1,8 V E/A (SSTL_18-kompatibel)
• Differentialdatenstroboskop (DQS, DQS#)
• 4n-Bit-Prefetch-Architektur
• Option mit doppeltem Ausgangsstroboskop (RDQS) für x8
• DLL zur Anpassung der DQ- und DQS-Übergänge an CK
• 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (CL)
• Veröffentlichte CAS-Additivlatenz (AL)
• WRITE-Latenz = Lese-Latenz - 1 tCK
• Auswählbare Sprenglängen (BL): 4 oder 8
• Einstellbare Daten-Ausgabe-Antriebstärke
• 64ms, 8192 Zyklen
• Auflösung bei Abbruch (ODT)
• Option für die industrielle Temperatur (IT)
• Fahrzeugtemperatur (AT)
• RoHS-konform
• Unterstützt die JEDEC Clock Jitter-Spezifikation
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | |
| Packungskoffer | 84-FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 85°C (TC) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,9 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte |
| Speicherkapazität | 256 M (16 M x 16) |
| Speichertypen | DDR2-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 3.75ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - DDR2-Speicher IC 256Mb (16M x 16) Parallel 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
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