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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2,133GHZ 376WFBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | USE Gefahrenabweichung |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - Bewegliches LPDDR4 | Speicherkapazität | 64Gbit |
| Speicherorganisation | 1G x 64 | Gedächtnis-Schnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 2,133 Gigahertz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C | 85°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 376-WFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 376-WFBGA (14x14) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR | IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA | |
| MT53E512M64D2NZ-46 WT:B | IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA | |
| MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR | LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | |
| MT53E1G64D4NZ-046 WT:C | LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | |
| MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR | LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA | |
| MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C | LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-046 WT:E | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR | IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA | |
| MT53E1G64D4NZ-46 WT:C | IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA | |
| MT53D1G64D8NZ-046 WT:E | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8NZ-046 WT:E | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-053 WT:D | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8WF-053 WT:D | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D8DBWF-DC | IC DRAM 376WFBGA | |
| MT53D8DBWF-DC TR | IC DRAM SPECIAL/CUSTOM 376WFBGA | |
| MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR | IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR | IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR | IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR | IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA | |
| MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR | IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA | |
| MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR | IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA | |
| MT53E256M64D4NZ-053 WT:B | IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA |
Produkt-Beschreibung
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | mit einer Breite von mehr als 20 mm |
| Mfr | Micron Technologie Inc. |
| Reihe | - |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Produktstatus | Aktiv |
| Speichertypen | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 64 GB (1G x 64) |
| Speicheroberfläche | - |
| Uhrfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30 °C bis 85 °C (TC) |
| Montageart | Oberflächenbefestigung |
| Packungskoffer | 376-WFBGA |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 376-WFBGA (14x14) |
| Nummer des Basisprodukts | USE Gefahrenabwehr |
Beschreibungen
SDRAM - Mobile LPDDR4-Speicher IC 64 GB (1G x 64) 2133 MHz
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