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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2,133GHZ 376WFBGA Micron Technology Inc.

  • MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA Micron Technology Inc.
Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM - Bewegliches LPDDR4 Speicherkapazität 64Gbit
Speicherorganisation 1G x 64 Gedächtnis-Schnittstelle -
Taktfrequenz 2,133 Gigahertz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 1.1V
Betriebstemperatur -30°C | 85°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 376-WFBGA Lieferanten-Gerätepaket 376-WFBGA (14x14)
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Part Number Description
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C LPDDR4 64GBIT 64 376/1156 WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT:D IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D8DBWF-DC IC DRAM 376WFBGA
MT53D8DBWF-DC TR IC DRAM SPECIAL/CUSTOM 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR IC DRAM 48GBIT 2.133GHZ 376WFBGA
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 376WFBGA
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ WFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie mit einer Breite von mehr als 20 mm
Mfr Micron Technologie Inc.
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
Produktstatus Aktiv
Speichertypen Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - mobile LPDDR4
Speichergröße 64 GB (1G x 64)
Speicheroberfläche -
Uhrfrequenz 2,133 GHz
Schreib-Zyklus-Zeit-Wort-Seite -
Spannungsversorgung 1.1V
Betriebstemperatur -30 °C bis 85 °C (TC)
Montageart Oberflächenbefestigung
Packungskoffer 376-WFBGA
Lieferant-Gerät-Verpackung 376-WFBGA (14x14)
Nummer des Basisprodukts USE Gefahrenabwehr

Beschreibungen

SDRAM - Mobile LPDDR4-Speicher IC 64 GB (1G x 64) 2133 MHz
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC