Alle Produkte
5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.
| Markenname | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Modellnummer | 5962-3829407MXA |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.
xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 64 KB |
| Speicherorganisation | 8K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -55 °C ~ 125 °C (TA) | Typ der Montage | Durchs Loch |
| Packung / Gehäuse | 28-CDIP (0,600", 15.24mm) | Lieferanten-Gerätepaket | 28-CDIP |
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 5962-3829407MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 5962-8855202XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S70DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 5962-8855204XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Der AT28C010 ist ein leistungsfähiger elektrisch löschbarer und programmierbarer Lese-Nur-Speicher.Hergestellt mit Atmels fortschrittlicher nichtflüchtiger CMOS-Technologie, bietet das Gerät Zugriffszeiten von bis zu 120 ns bei einer Leistungsaufnahme von nur 440 mW. Wenn das Gerät ausgeschaltet ist, beträgt der CMOS-Standby-Strom weniger als 300 μA.
Eigenschaften
• Schnelle Lesezeit - 120 ns• Automatisches Schreiben von Seiten
¢ Interne Adress- und Datensperren für 128 Bytes
¢ Interner Steuerungs-Timer
• Schnelle Schreibzeit
¢ Zeitrahmen des Schreibzyklus - maximal 10 ms
Schreiboperation von 1 bis 128 Bytes
• Niedriges Energieverbrauch
Aktivstrom von 80 ma
¢ 300 μA CMOS-Warteschaltstrom
• Hardware- und Software-Datenschutz
• DATA-Umfrage zur End-of-write-Erkennung
• Hochverlässliche CMOS-Technologie
Ausdauer: 104 oder 105 Zyklen
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
• Einfache 5V ± 10% Versorgung
• CMOS- und TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• JEDEC genehmigte Byte-Wide-Pinout
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | 5962 bis 38294 |
| Typ | Asynchron |
| Verpackung | Schlauch |
| Montage-Stil | Durchs Loch |
| Packungskoffer | 28 CDIP (0,600", 15,24 mm) |
| Betriebstemperatur | -55°C bis 125°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 28-CDIP |
| Speicherkapazität | 64K (8K x 8) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | - |
| Zugriffszeit | 70 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 125 °C |
| Betriebstemperaturbereich | - 55 °C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 8 k x 8 |
| Teil-#-Alias | 5962-38294 5962-3829407MXA |
| Versorgungsspannung | 5.5 V |
| Versorgungsspannung-Min | 4.5 V |
| Packungskoffer | CDIP-28 |
Funktionell kompatible Komponente
Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, ROHS-konform, aus Kunststoff, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt. |
| Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0,600 INCH, ROHS-konform, Keramik, DIP-28 | Force Technologies Ltd. | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 5 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
| V62C51864L-70P Gedächtnis |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | Mosel Vitelic Corporation | 5962-3829407MXA gegen V62C51864L-70P |
| 5962-3829407MXA Gedächtnis |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | Motorola Halbleiterprodukte | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die für die Zwecke der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 vorgesehenen Maßnahmen zu prüfen. |
| AS6C6264A-70PCN Gedächtnis |
Standard-SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, ROHS-konform, aus Kunststoff, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA gegenüber AS6C6264A-70PCN |
| Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0,600 INCH, ROHS-konform, Keramik, DIP-28 | Force Technologies Ltd. | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 5 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu ergreifen. |
| IMS1630LS-70M Gedächtnis |
8KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP28, seitlich gebrätet, keramisch, DIP-28 | STMikroelektronik | 5962-3829407MXA gegen IMS1630LS-70M |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 64Kb (8K x 8) Parallel 28-CerDip
SRAM 64K Asynchrone 8K x 8 SRAM
Empfohlene Produkte
