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AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Allianz Speicher, Inc.

  • AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.
Markenname Alliance Memory, Inc.
Modellnummer Die Ausrüstung ist mit einer Maschine ausgestattet, die mit einem Gerät ausgestattet ist.
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 64Mbit
Speicherorganisation 4M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 5,4 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 54-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 54-TFBGA (8x8)
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Part Number Description
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BAN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BANTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SB-6BIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Typ SDRAM
Verpackung Tray
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 54-TFBGA
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Überwachung der Luftversorgung
Speicherkapazität 64 M (4 M x 16)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 166 MHz
Zugriffszeit 5.4 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 85 °C
Betriebstemperaturbereich - 40 °C
Organisation 4 M x 16
Versorgungsstrom maximal 50 mA
Datenbusbreite 16 Bit
Versorgungsspannung 3.6 V
Versorgungsspannung-Min 3 V
Packungskoffer TFBGA-54
Maximal-Uhr-Frequenz 166 MHz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5,4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC