IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

Eigenschaften

● Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
● Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten mit einer Systemfrequenz von bis zu 1066 MHz
● 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
● 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
● Programmierbare CAS-Latenz
● Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
● Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
● Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
● Programmierbarer Ausbruchsverlauf: Sequential oder Interleave
● BL-Schalter im Handumdrehen
● Automatische Erneuerung (ASR)
● Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
● Erneuerungsintervall:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
● Selbstrefreschierung in einem Teilbereich
● Asynchrone Rücksetzspalte
● TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
● OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
● Dynamische ODT (On-Die-Termination)
● Triebkraft: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Schreiben Sie die Ebene
● Bis zu 200 MHz im ausgeschalteten DLL-Modus
● Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)