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MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | USE Gefahrenabweichung |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - Bewegliches LPDDR | Speicherkapazität | 512Mbit |
| Speicherorganisation | 16M x 32 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 5 ns | Spannung - Versorgung | 1.7V | 1.95V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 90-VFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 90 VFBGA (10x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Mobiler DDR-SDRAM mit geringer Leistung
Eigenschaften
• VDD/VDDQ = 1,701,95 V• Bidirektionale Datenstrahler pro Byte (DQS)
• interne, durch Pipeline verwaltete Doppeldatenrate (DDR) -Architektur; zwei Datenzugriffe pro Taktzyklus
• Differentialschalteinträge (CK und CK#)
• Befehle, die an jeder positiven CK-Kante eingegeben werden
• DQS-Rand mit Daten für READs ausgerichtet; Mitte mit Daten für WRITEs ausgerichtet
• 4 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Datenmasken (DM) zur Verhüllung von Schreibdaten; eine Maske pro Byte
• Programmierbare Blaslängen (BL): 2, 4, 8 oder 16
• Gleichzeitige automatische Vorladung wird unterstützt
• Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
• 1,8V LVCMOS-kompatible Eingänge
• Temperaturkompensierte Selbsterneuerung (TCSR)
• Selbst-Erneuerung der partiellen Array (PASR)
• Tiefe Abschaltung (DPD)
• Statusleseregister (SRR)
• Auswählbare Ausgangsantriebsstärke (DS)
• Fähigkeit zur Zeitstoppe
• 64ms Erneuerung, 32ms für die Fahrzeugtemperatur
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | |
| Packungskoffer | 90 VFBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,95 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 90 VFBGA (10x13) |
| Speicherkapazität | 512M (16M x 32) |
| Speichertypen | Mobiler LPDDR-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 166 MHz |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5,0ns 90-VFBGA (10x13)
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