MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Micron Technology Inc.

Generell beschrieben

Die MT28F004B3 (x8) und MT28F400B3 (x16/x8) sind nichtflüchtige, elektrisch blocklöschbare (Flash) programmierbare Speichergeräte mit194Das Schreiben oder Löschen des Geräts erfolgt entweder mit einer 3,3 V oder 5 V VPP-Spannung, während alle Operationen mit einer 3 durchgeführt werden.3V VCCAufgrund der Fortschritte in der Prozesstechnologie ist 5V VPP für die Anwendung und Produktionsprogrammierung optimal.
Die MT28F004B3 und MT28F400B3 sind in sieben separat löschbare Blöcke organisiert.die Geräte verfügen über einen hardwaregeschützten Bootblock. Das Schreiben oder Löschen des Bootblocks erfordert entweder die Anwendung einer Superspannung auf den RP#-Pin oder die Ausführung von WP# HIGH zusätzlich zur Ausführung der normalen Schreib- oder Löschsequenzen.Dieser Block kann verwendet werden, um Code zu speichern, der in der Systemwiederherstellung auf niedriger Ebene implementiert wurde.Die übrigen Blöcke haben eine unterschiedliche Dichte und werden ohne zusätzliche Sicherheitsmaßnahmen geschrieben und gelöscht.

Eigenschaften

• Sieben Löschblöcke:
16KB/8K-Wort-Bootblock (geschützt)
Zwei 8KB/4K-Wortparameterblöcke
Vier Hauptspeicherblöcke
• Smart 3 Technologie (B3):
3.3V ±0,3V VCC
3.3V ±0.3V VPP-Anwendungsprogrammierung
5V ± 10% VPP-Anwendung/Produktionsprogrammierung1
• Kompatibel mit 0,3 μm Smart 3 Geräten
• Fortgeschrittenes 0,18 μm CMOS-Floating-Gate-Verfahren
• Adresszugangszeit: 80 ns
• 100.000 Löschzyklen
• Industriestandardschilder
• Eingänge und Ausgänge sind vollständig TTL-kompatibel
• Automatisierter Schreib- und Lösch-Algorithmus
• Zwei-Zyklus-Schreib-/Lösch-Sequenz
• BYTE- oder Wortweite LENNEN und WRICHTEN
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Bytesweite Lese- und Schreibfunktion
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Verpackungsoptionen nach den TSOP und SOP