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AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Alliance Memory, Inc.
| Markenname | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | AS7C1024B-12JCN |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 1 Mbit |
| Speicherorganisation | 128K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 12ns |
| Zugriffzeit | 12 ns | Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 32-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 32-SOJ |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS7C1024B-12JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31024B-12JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-12JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-15JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31024B-12JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31024B-15JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-10JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-12JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-15JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-12JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-12JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025B-12JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025B-15JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025B-12JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-15JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025B-15JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31024B-15JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-10JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-12JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-15JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025B-15JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-12JIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025B-15JIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-12JIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-20JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31024B-20JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-20JCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024B-20JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31024B-20JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025B-20JCN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024C-12JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025C-15JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025C-12JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1024C-12JIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C1025C-15JIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | |
| AS7C31025C-12JIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Funktionsbeschreibung
Der AS7C1024B ist ein leistungsstarker CMOS 1,048,576 Bit Static Random Access Memory (SRAM) Gerät organisiert als 131.072 Wörter x 8 Bits. Es ist für Speicheranwendungen, wo schneller Datenzugriff, geringer Stromverbrauch und einfache Schnittstelle gewünscht sind konzipiert.Gleichwertige Adresszugangs- und Zykluszeiten (tAA, tRC, tWC) von 10/12/15/20 ns mit Output-Enable-Zugangszeiten (tOE) von 5/6/7/8 ns sind ideal für Hochleistungsanwendungen.Aktive hohe und niedrige Chip-Aktivierungen (CE1), CE2) ermöglichen eine einfache Erweiterung des Speichers mit mehreren Banken.
Eigenschaften
• Industrie- und Handelstemperaturen• Organisation: 131.072 Wörter x 8 Bits
• Hochgeschwindigkeit
- 10/12/15/20 ns Adresszugangszeit
- 5/6/7/8 ns Ausgang ermöglichen Zugriff Zeit
• Niedriger Stromverbrauch: AKTIV
- 605 mW / max @ 10 ns
• Niedriger Stromverbrauch: STANDBY
- 55 mW / max CMOS
• 6T 0,18u CMOS-Technologie
• Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Eingängen
• TTL/LVTTL-kompatible, dreistufige E/A
• Standardpakete für JEDEC mit 32 Pins
- 300 Mio. SOJ
- 400 Mio. SOJ
- 8 × 20 mm TSOP 1
- 8 x 13,4 mm STSOP 1
• ESD-Schutz ≥ 2000 Volt
• Anschlussstrom ≥ 200 mA
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Rohrverpackung |
| Packungskoffer | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 32-SOJ |
| Speicherkapazität | 1M (128K x 8) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchron |
| Geschwindigkeit | 12 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| AS7C1024B-12JCN Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32 | Alliance Memory Inc. | Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
| AS7C1024B-12TJCN Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 Zoll, ohne Blei, aus Kunststoff, SOJ-32 | Alliance Memory Inc. | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
| Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für Fahrzeuge, die mit einem Fahrzeug ausgestattet sind. Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,400 Inch, ohne Blei, aus Kunststoff, SOJ-32 | Alliance Memory Inc. | Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
| IDT71024S12TYG Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, ROHS-konform, aus Kunststoff, SOJ-32 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | AS7C1024B-12JCN gegen IDT71024S12TYG |
| 71024S12TYGI Gedächtnis |
SOJ-32, Röhrchen | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Zellstoff. |
| IDT71024S12YG Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,400 INCH, ROHS-konform, aus Kunststoff, SOJ-32 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | AS7C1024B-12JCN gegen IDT71024S12YG |
| 71024S12YG Gedächtnis |
SOJ-32, Röhrchen | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | Die Anwendungsberechtigung für die Berechnung der Verbrennungsmengen ist in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG festgelegt. |
| 71024S12YGI Gedächtnis |
SOJ-32, Röhrchen | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | AS7C1024B-12JCN gegen 71024S12YGI |
| 71024S12TYG Gedächtnis |
SOJ-32, Röhrchen | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
| 71024S12TYI8 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,300 INCH, Kunststoff, SOJ-32 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 12ns 32-SOJ
SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynchronous SRAM
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