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CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Infineon Technologies

  • CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Infineon Technologies
Markenname Infineon Technologies
Modellnummer CYDM256B16-55BVXI
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Doppelanschluss, MoBL Speicherkapazität 256Kbit
Speicherorganisation 16K x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 55ns
Zugriffzeit 55 ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 100-VFBGA Lieferanten-Gerätepaket 100-VFBGA (6x6)
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Part Number Description
CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B08-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-90BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064B16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX128A16-90BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128B16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-65BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-90BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B08-40BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B08-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-40BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-40BVXIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM128B08-40BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B08-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-40BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-40BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-40BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-40BVXIT IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-55BVXIT IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX064A16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-90BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-90BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-65BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-90BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128B16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX064B16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

mit einer Leistung von mehr als 1000 W

Die Holco-Reihe von Präzisionsmetallfolienwiderständen erfüllt die Anforderungen an kostengünstige Komponenten für industrielle und militärische Anwendungen.Die Produktionsanlage verwendet streng kontrollierte Produktionsverfahren, einschließlich der Beschichtung von Metalllegierungsfolien mit Sputtern auf keramischen Substraten.Für den Umweltschutz und den mechanischen Schutz wird eine Epoxidbeschichtung aufgetragen.Kommerziell ist die Serie in zwei Gehäusegrößen erhältlich, von 1 ohm bis 4M ohm, Toleranzen von 0,05% bis 1% und TCRs von 5ppm/°C bis 100ppm/°C. Der H8 ist mit der Freigabe nach BS CECC 40101 004, 030 und 804 erhältlich.

Wesentliche Merkmale

■ Ultrapräzision - bis zu 0,05%
■ Zusammengestellte Sätze zur Verfügung bis 2 ppm/°C
■ Hochimpulsabwehr
■ Niedrige Reaktionsfähigkeit
■ Niedriges TCR - bis zu 5 ppm/°C
■ Langfristige Stabilität
■ Bis zu 1 Watt bei 70°C
■ Veröffentlicht an CECC 40101 004, 030 und 804

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Zypress Halbleiter
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe CYDM256B16
Typ Asynchron
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Montage-Stil SMD/SMT
Handelsbezeichnung MoBL
Packungskoffer 100-VFBGA
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung
Speicherkapazität 256K (16K x 16)
Speichertypen SRAM - Doppelanschluss, MoBL
Geschwindigkeit 55n
Datenquote SZR
Zugriffszeit 55 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 85 °C
Betriebstemperaturbereich - 40 °C
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 16 k x 16
Versorgungsstrom maximal 25 mA
Versorgungsspannung 1.9 V
Versorgungsspannung-Min 1.7 V
Packungskoffer BGA-100

Funktionell kompatible Komponente

Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente

Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
IDT70P9268L50BZG
Gedächtnis		 Einheitliche Speicher- und Speicherkapazität Integrierte Gerätetechnologie Inc. CYDM256B16-55BVXI gegen IDT70P9268L50BZG
CYDMX256B16-65BVXI
Gedächtnis		 Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten für die Bereitstellung von Daten über die Datenbank Zypress Halbleiter CYDM256B16-55BVXI gegen CYDMX256B16-65BVXI
CYDMX256A16-65BVXI
Gedächtnis		 Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten für die Bereitstellung von Daten über die Datenbank Zypress Halbleiter CYDM256B16-55BVXI gegen CYDMX256A16-65BVXI
CYDM256B16-55BVXIT
Gedächtnis		 Mehrfachport-SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HÖHE, 0,50 MM PITCH, LEAD-FREE, MO-195C, VFBGA-100 Zypress Halbleiter CYDM256B16-55BVXI gegen CYDM256B16-55BVXIT
IDT70P926850BZGI
Gedächtnis		 Einheitliche Speicher- und Speicherkapazität Integrierte Gerätetechnologie Inc. CYDM256B16-55BVXI gegen IDT70P926850BZGI
IDT70P926850BZG
Gedächtnis		 Einheitliche Speicher- und Speicherkapazität Integrierte Gerätetechnologie Inc. CYDM256B16-55BVXI gegen IDT70P926850BZG
CYDM256B16-55BVXC
Gedächtnis		 16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HÖHE, 0,50 MM PITCH, ohne Blei, MO-195C, VFBGA-100 Rochester Electronics LLC CYDM256B16-55BVXI gegen CYDM256B16-55BVXC
70P265L90BYGI
Gedächtnis		 Einheit für die Berechnung der Leistung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 vorgesehenen Leistungen Integrierte Gerätetechnologie Inc. CYDM256B16-55BVXI gegen 70P265L90BYGI
IDT70P9268L50BZGI
Gedächtnis		 Einheitliche Speicher- und Speicherkapazität Integrierte Gerätetechnologie Inc. CYDM256B16-55BVXI gegen IDT70P9268L50BZGI
70P265L90BYGI8
Gedächtnis		 Einheit für die Bereitstellung von Speichern, die mit einem Speicher mit einer Breite von mehr als 10 m2 ausgestattet sind. Integrierte Gerätetechnologie Inc. CYDM256B16-55BVXI gegen 70P265L90BYGI8

Beschreibungen

SRAM - Dual Port, MoBL Speicher IC 256Kb (16K x 16) Parallel 55ns 100-VFBGA (6x6)
SRAM Chip Async Dual 1.8V 256K-Bit 16K x 16 55ns 100-Pin VFBGA Tray
SRAM 256K 16Kx16 MoBL Dual Port IND
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC