S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP Infineon Technologies

Markenname Infineon Technologies
Modellnummer S29CD016J0MQFM030
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.

x
Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ - NOCH Speicherkapazität 16Mbit
Speicherorganisation 512K x 32 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 56 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 60ns
Zugriffzeit 54 ns Spannung - Versorgung 1.65V | 2.75V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 80-BQFP Lieferanten-Gerätepaket 80-PQFP (14x20)
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
Part Number Description
S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0MQAM013 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0MQAM113 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0PQFM013 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J1MQAM113 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0JQFM110 IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP
S29CD016J0MQFI000 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0PQAM010 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J1JQAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP
S29CD016J0MQFM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD032J0MQFI000 IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0PQAM013 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J0PQAM113 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J0PQFM113 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J1JQFM013 IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP
S29CD032J0MQFM013 IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD032J0RQFM013 IC FLASH 32MBIT PAR 75MHZ 80PQFP
S29CD032J1MQFM013 IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CL016J0PQFM023 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J0MQAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0PQFM010 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD016J1JQFM010 IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP
S29CD032J0MQFM010 IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD032J0PQFM010 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CD032J0RQFM010 IC FLASH 32MBIT PAR 75MHZ 80PQFP
S29CD032J1MQFM010 IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CL016J0JQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP
S29CL016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CL016J0PQFM020 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CL016J0PQFM030 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CL032J0JQAI000 IC FLASH 32MBIT PAR 80PQFP
S29CL032J0PQFM010 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 80PQFP
S29CL032J0RQAI030 IC FLASH 32MBIT PAR 75MHZ 80PQFP
S29CD016J0MQFM013 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0MQFM110 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0MQFM113 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP
S29CD016J0PQAM110 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
Hinterlass eine Nachricht
Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Allgemeine Beschreibung

Die S29CD-G Flash-Familie ist eine Burst-Modus, Dual Boot, Simultaneous Read/Write-Familie von Flash-Speichern mit VersatileI/OTM, die auf 170 nm Prozesstechnologie hergestellt wird.

Unterscheidungsmerkmale

Vorteile der Architektur
■ Simultanes Lesen und Schreiben
- Daten aus einer Bank beim Löschen lesen
Programmfunktionen in anderen Banken
- Null Verzögerung zwischen Lese- und Schreiboperationen
Zwei Bankenarchitekturen: Große Bank/Kleine Bank
75% bis 25%
■ Benutzerdefinierter x32 Datenbus
■ Doppelboot-Block
¢ Ober- und Unterstückssektoren in derselben Anlage
■ Flexibile Sektorarchitektur
CD032G: Acht 2K Doppelwort, 62 16K
Double Word und acht 2K Double Word Sektoren
CD016G: 8 2K Doppelwort, 32 16K
Double Word und acht 2K Double Word Sektoren
■ Sicherer Siliziumsektor (256 Bytes)
- Fabrik gesperrt und identifizierbar: 16 Bytes für sicher,
Zufällige Fabrik elektronische Seriennummer; auch bekannt
als elektronische Kennzeichnung
■ Fertigung auf 170 nm Prozesstechnik
■ Programmierbare Burst-Schnittstelle
- Schnittstellen zu allen Hochleistungsprozessoren
- Liniäre Ausbruchserfassung: 2, 4 und 8 doppelt.
Wort linearer Ausbruch mit oder ohne Umwicklung
■ Programmbetrieb
Erstellt synchrone und asynchrone Schriften
Operationen der Registrierung der Burst-Konfiguration
unabhängig
■ Einsatz einer einzigen Stromversorgung
Optimiert für 2,5 bis 2,75 Volt Lesen, Löschen und
Programmbetrieb
■ Kompatibilität mit den JEDEC-Normen (JC42.4)
- Software, die mit einer einzigen Stromversorgung Flash kompatibel ist
Rückwärtskompatibel mit AMD/Fujitsu Am29LV/
MBM29LV- und Am29F/MBM29F-Flashspeicher

Leistungsmerkmale

■ Leistungsstarker Lesezugang
¢ Erst-/Zufallszugangszeiten von 48 ns (32 Mb) und 54
ns (16 Mb)
¢ Aufschlagzeiten von 7,5 ns (32 Mb) oder 9 ns (16 Mb)
■ Ultra-niedriger Stromverbrauch
¢ Ausbruchmodus: 90 mA @ 75 MHz max.
Programm/Löschung: maximal 50 mA
Standby-Modus: CMOS: maximal 60 μA
■ 1 Million Schreibzyklen pro Branche typisch
■ 20 Jahre Aufbewahrung der Daten
■ Vielseitige Steuerung
- Erzeugt Datenausgangsspannungen und toleriert Daten
Eingangsspannungen, bestimmt durch die Spannung auf dem
VIO-Stift
- 1,65 V bis 3,60 V kompatible E/A-Signale

Funktionen der Software

■ Dauerhafter Sektorschutz
¢ Verknüpfungen einzelner Sektoren und Sektoren
Gruppen zur Verhinderung von Programm- oder Löschvorgängen
innerhalb dieses Sektors (erfordert nur Risikokapitalkernwerte)
■ Passwort-Sektorschutz
¢ Verknüpfungen einzelner Sektoren und Sektoren
Gruppen zur Verhinderung von Programm- oder Löschvorgängen
innerhalb dieses Sektors mit einem benutzerdefinierbaren 64-Bit-
Passwort
■ Unterstützung von Common Flash Interface (CFI)
■ Entriegeln des Bypass-Programms
¢ Verkürzt die Gesamtzeit der Programmierung bei der Ausgabe
mehrere Programmbefehlssequenzen
■ Daten# Umfragen und Wechselbits
¢ bietet eine Softwaremethode zur Erkennung von Programmen oder
Abschluss des Löschvorgangs

Hardwarefunktionen

■ Programm aussetzen/wieder aufnehmen und löschen aussetzen/
Weiterlesen
¢ Programm aussetzen oder Löschen von Operationen, um zu ermöglichen
Lesen, Programmieren oder Löschen in derselben Bank
■ Hardware-Reset (RESET#), bereit/beschäftigt# (RY/
BY#), und Schreibschutz (WP#)
■ ACC-Eingang
¢ Beschleunigt die Programmierzeit für einen höheren Durchsatz
während der Systemproduktion
■ Paketoptionen
️ 80-Pin-PQFP
- 80 Kugeln - BGA
¢ auch Pb-freie Paketoption verfügbar

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Zypress Halbleiter
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe CD-J
Typ Startblock
Verpackung Tray
Montage-Stil SMD/SMT
Betriebstemperaturbereich - 40 C bis + 125 C
Packungskoffer 80-BQFP
Betriebstemperatur -40 °C bis 125 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 10,65 V bis 2,75 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 80 PQFP (20x20)
Speicherkapazität 16M (512K x 32)
Speichertypen FLASH - NICHT
Geschwindigkeit 56 MHz
Architektur Wirtschaftszweig
Format-Speicher Flasch
Standards Gemeinsame Flash-Schnittstelle (CFI)
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 512 k x 32
Versorgungsstrom maximal 90 mA
Datenbusbreite 32 Bit
Versorgungsspannung 2.75 V
Versorgungsspannung-Min 2.5 V
Packungskoffer PQFP-80
Maximal-Uhr-Frequenz 56 MHz
Zeitungsart Asynchron synchron
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
S29CD016J0JQFI030
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0JQFI030
S29CD016J0JQFI110
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0JQFI110
S29CD016J0MQFI012
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, bleifrei, aus Kunststoff, MO-108CB-1, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0MQFI012
S29CD016J0MQFM010
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0MQFM010
S29CD016J0MQFM110
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0MQFM110
S29CD016J0JQFI112
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, bleifrei, aus Kunststoff, MO-108CB-1, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0JQFI112
S29CD016J0JQFI032
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, bleifrei, aus Kunststoff, MO-108CB-1, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0JQFI032
S29CD016J0MQFI013
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0MQFI013
S29CD016J0PQFM110
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0PQFM110
S29CD016J0MQAM130
Gedächtnis
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 Zypress Halbleiter S29CD016J0MQFM030 gegen S29CD016J0MQAM130

Beschreibungen

FLASH - NOR Speicher IC 16Mb (512K x 32) Parallel 56MHz 54ns 80-PQFP (20x20)
NOR Flash Parallel/Serial 2,6V 16M-Bit 512K x 32 54ns Automobil 80-Pin PQFP-Tray
Speicher