AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc. (auch bekannt als AS4C2M32SA-6TCN)

Markenname Alliance Memory, Inc.
Modellnummer AS4C2M32SA-6TCN
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 64Mbit
Speicherorganisation 2M x 32 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 2ns
Zugriffzeit 5,5 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 86-TFSOP (0,400", 10.16mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 86-TSOP II
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Part Number Description
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Funktionsbeschreibung

Das AS4C256K16E0 ist ein leistungsstarker 4 Megabit CMOS Dynamic Random Access Memory (DRAM), der in 262.144 Wörtern von 16 Bit organisiert ist.Der AS4C256K16E0 ist mit fortschrittlicher CMOS-Technologie hergestellt und mit innovativen Konstruktionstechniken konzipiert, die zu hohen Geschwindigkeiten führen, extrem geringe Leistung und große Betriebsmargen auf Komponenten- und Systemebene.

Eigenschaften

• Organisation: 262.144 Wörter × 16 Bits
• Hochgeschwindigkeit
- 30/35/50 ns RAS-Zugangszeit
- 16/18/25 ns Spaltenadresszugangszeit
- 7/10/10/10 ns CAS-Zugangszeit
• Niedriger Stromverbrauch
- Aktive: 500 mW max (AS4C256K16E0-25)
- Standby: maximal 3,6 mW, CMOS E/A (AS4C256K16E0-25)
• EDO-Seitenmodus
• Erfrischen
- 512 Auffrischungszyklen, 8 ms Auffrischungsintervall
- Nur RAS- oder CAS-vor-RAS-Aktualisierung oder Selbstaktualisierung
- Die Option "Self-Refresh" ist nur für Geräte der neuen Generation verfügbar.
• Lesen-Ändern-Schreiben
• TTL-kompatible, dreistufige E/A
• JEDEC-Standardpakete
- 400 ml, 40-Pin-SOJ
- 400 ml, 40/44-Pin TSOP II
• 5V Stromversorgung
• Anschlussstrom > 200 mA

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 86-TSOP II
Speicherkapazität 64 M (2 M x 32)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 166 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5,5ns 86-TSOP II
DRAM SDRAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32