MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ - NAND (MLC) Speicherkapazität 512Gbit
Speicherorganisation 64G x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 152-TBGA Lieferanten-Gerätepaket 152-TBGA (14x18)
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Part Number Description
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6C:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
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MT29F512G08CMECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
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MT29F512G08CMEABH7-12:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
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MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Allgemeine Beschreibung

Micron NAND Flash-Geräte verfügen über eine asynchrone Datenoberfläche für leistungsstarke E/A-Operationen.Es gibt fünf Steuerungssignale, die zur Implementierung der asyn chronous Datenoberfläche verwendet werden: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern den Schreibschutz der Hardware (WP#) und überwachen den Gerätestatus (R/B#).

Eigenschaften

• Offene NAND-Flash-Schnittstelle (ONFI) in Übereinstimmung mit 2.2
• Mehrstufige Zelltechnologie (MLC)
• Organisation
️ Seitengröße x8: 8640 Bytes (8192 + 448 Bytes)
Blockgröße: 256 Seiten (2048K + 112K Bytes)
Flugzeuggröße: 2 Flugzeuge x 2048 Blöcke pro Flugzeug
¢ Gerätegröße: 64 GB: 4096 Blöcke;
128 GB: 8192 Blöcke;
256 GB: 16.384 Blöcke;
512Gb: 32.786 Blöcke
• Synchrone E/A-Leistung
- bis zum synchronen Zeitmodus 5
¢ Uhrzeit: 10ns (DDR)
¢ Lesen/Schreiben-Durchsatz pro Pin: 200 MT/s
• Asynchrone E/A-Leistung
- bis zum asynchronen Zeitmodus 5
- Ich weiß.
TRC/tWC: 20 ns (MIN)
• Leistung des Arrays
Lesezeit: 50 μs (MAX)
¢ Programmseite: 1300 μs (TYP)
- Löschblock: 3 ms (TYP)
• Betriebsspannungsbereich
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
VCCQ: 1,7V1,95V, 2,7V3,6V
• Befehlssatz: ONFI NAND Flash-Protokoll
• Erweiterte Befehlssätze
️ Cache des Programms
– Read cache sequential
Lese Cache zufällig
Einmalprogrammierbarer (OTP) Modus
¢ Kommandos für mehrere Ebenen
¢ Mehrfachbetrieb mit mehreren LUN
– Read unique ID
– Copyback
• Der erste Block (Blockadresse 00h) gilt bei Versand
Für die erforderliche minimale ECC siehe
Fehlermanagement (Seite 109).
• Reset (FFh) als erster Befehl nach dem Anschalten erforderlich
auf
• Betriebsstatus-Byte liefert eine Softwaremethode für
Ermittlung
¢ Abschluss der Operation
– Pass/fail condition
️ Schreibschutzstatus
• Datenstrobossignale (DQS) liefern eine Hardwaremethode
für die Synchronisierung von Daten DQ im synchronen
Schnittstelle
• Im Flugzeug unterstützte Kopiervorgänge
von dem Daten gelesen werden
• Qualität und Verlässlichkeit
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
¢ Langlebigkeit: 5000 Programm-/ Löschzyklen
• Betriebstemperatur:
️ Handelsgewerbe: 0°C bis +70°C
Industrie (IT): von 40 °C bis + 85 °C
• Paket
LGA mit 52 Pads
48-Pin-TSOP
- 100 Kugeln BGA

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Verpackung mit Band und Rolle (TR)
Packungskoffer -
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung -
Speicherkapazität 512G (64G x 8)
Speichertypen FLASH - NAND
Geschwindigkeit -
Format-Speicher Flasch

Beschreibungen

FLASH - NAND-Speicher IC 512 GB (64 G x 8) Parallel 166 MHz